ПЖТФ, 2009, том 35, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Компьютерное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs с неоднородной кристаллической структурой

М.Н.Лубов, Д.В.Куликов, Ю.В.Трушин

Академический физико-технологический университет РАН
Санкт-Петербургский физико-технологический
научно-образовательный центр РАН
E-mail: trushin@theory.ioffe.ru

Поступило в Редакцию 10 июля 2008 г.

Предложена физическая модель и проведены компьютерные расчеты роста нитевидных нанокристаллов GaAs с неоднородной кристаллической структурой при молекулярно-пучковой эпитаксии. Получены временные зависимости для скорости роста и высоты нитевидных нанокристаллов, рассчитаны момент времени переключения кристаллических фаз.

PACS: 64.70.Nd, 68.70.+w, 61.50.Ah, 81.10.-h

 PDF версия (821Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster