ПЖТФ, 2008, том 34, выпуск 21: page 67...

ПЖТФ, 2008, том 34, выпуск 21

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Электрические свойства фотодиодов на основе $p$ -GaSb/ $p$ -GaInAsSb/ $N$ -GaAlAsSb гетеропереходов

M.Ahmetoglu(Afrailov), G.Kaynak, И.А.Андреев, Е.В.Куницына,
М.П.Михайлова, Ю.П.Яковлев

Department of Physics, Uludag University, 16059, Gorukle, Bursa, Turkey
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
E-mail: igor@iropt9.ioffe.ru

Поcтупило в Редакцию 23 апреля 2008 г.

Проведено исследование электрических характеристик фотодиодов на основе

p

-GaSb/

p

-GaInAsSb/

N

-GaAlAsSb гетеропереходов. Изучены механизмы протекания тока в гетероструктурах при различных температурах. Сравнение экспериментальных и теоретических результатов показало, что при низких температурах (

T<150

K) как для прямого, так и для обратного тока преобладает туннельный механизм протекания. Величина туннельного тока становится определяющей при напряженности электрического поля

p-n

перехода не менее

10

⁵ V/cm и есть следствие малой ширины запрещенной зоны исследуемых материалов и малых эффективных масс электронов и дырок.

PACS: 73.40.Kp, 85.60.Dw

PDF версия (224Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2008, Коллектив авторов Разработано... webmaster