ПЖТФ, 2008, том 34, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Бистабильность водородных доноров в сплаве GeSi, имплантированном протонами

Ю.М.Покотило, А.Н.Петух, В.В.Литвинов,
В.П.Маркевич, A.R.Peaker, Н.В.Абросимов

Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
E-mail: pokotilo@bsu.by
University of Manchester, School of Electrical and Electronic Engineering,
Manchester M60 1QD, UK
Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия

В окончательной редакции 21 ноября 2007 г.

Методом вольт-фарадных характеристик исследовались электрофизические свойства мелких водородных доноров в сплавах Ge1-xSix (x=0.012), которые формировались облучением низкоэнергетичеcкими протонами с последующей термообработкой при 275oC. Показано, что часть доноров проявляет свойство бистабильности, т. е. их концентрация обратимо изменяется при циклическом изменении температуры в диапазоне 100-200oC. Указывается на аналогию свойств перестраиваемых водородных доноров в германии с бистабильными водородными донорами в кремнии.

PACS: 61.72.Ji, 61.72.Ss, 61.80.Fe, 73.40.Sx

 PDF версия (99Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster