ПЖТФ, 2008, том 34, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Высокомощные полупроводниковые источники излучения на основе 100 W лазерных линеек, предназначенные для накачки твердотельных лазеров

Н.И.Кацавец, В.А.Бученков, М.О.Искандаров, А.А.Никитичев,
Э.Г.Соколов, А.Л.Тер-Мартиросян

ЗАО \glqq Полупроводниковые приборы\grqq, Санкт-Петербург
E-mail: sales@atcsd.ru, n\_ katsavets@mail.ru
ФГУП НПК \glqq ГОИ им. С.И. Вавилова\grqq, Санкт-Петербург
СПБ Филиал ФГУП \glqq НИИ ПП\grqq, Санкт-Петербург

Поступило в Редакцию 22 мая 2007 г.

Приведены результаты разработки мощных (до 5 kW) полупроводниковых излучателей (удельная мощность 400 W/cm2), выполненных в виде сборки --- вертикального стека (stack) квазинепрерывных импульсных (длительность импульса 500 mus) лазерных линеек с выходной оптической мощностью 100 W. На основе таких излучателей разработан твердотельный лазер с энергией излучения до 150 mJ, предназначенный для информационных систем (лазерных дальномеров, спектроанализаторов и т. п.).

PACS: 42.55.Px

 PDF версия (124Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster