ПЖТФ, 2008, том 34, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

InAsSbP/InAs гетероструктуры для термофотовольтаических преобразователей: получение и свойства

В.А.Геворкян, В.М.Арутюнян, К.М.Гамбарян, И.А.Андреев,
Л.В.Голубев, Ю.П.Яковлев

Ереванский государственный университет
E-mail: vgev@ysu.am
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
E-mail: igor@iropt9.ioffe.ru

Поступило в Редакцию 1 мая 2007 г.

Выращивание узкозонных соединений арсенида индия методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) развито для термофотовольтаических применений. Многокомпонентные твердые растворы на основе InAs и их гетероструктуры InAs/InAsSbP (Eg=0.35-0.6 eV) перспективны для температур эмиттеров излучения 1000-2000oC. Продление чувствительности элементов в длинноволновую область до 3.8 mum позволяет эффективно использовать фотоны малой энергии. Пленки четверных твердых растворов InAsSbP/InAs, полученных методом ЖФЭ из переохлажденного раствора-расплава и методом электро-ЖФЭ с подпиткой ростового раствора-расплава компонентами выращиваемого слоя, имеют однородный состав и высокое совершенство кристаллической структуры. Значения обратных токов насыщения для гетероструктур n-InAs/p-InAsSpP близки к теоретическим.

PACS: 84.60.Rb, 81.15.Lm

 PDF версия (156Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster