ПЖТФ, 2008, том 34, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками при комнатной температуре
в диапазоне 1-2.6 mum

М.Н.Дроздов, В.М.Данильцев, Л.Д.Молдавская, В.И.Шашкин

Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
E-mail: lmd@ipm.sci-nnov.ru

Поступило в Редакцию 10 мая 2007 г.

Изучена фотопроводимость гетеростурктур InAs/GaAs с квантовыми точками в диапазоне 1-2.6 mum при комнатной температуре. Особенностью структур является увеличение количества InAs при формировании слоя квантовых точек и использование чередования низко- и высокотемпературного режимов для их заращивания барьерным слоем GaAs. Впервые методом металлоорганической газофазной эпитаксии изготовлены многослойные гетероструктуры с квантовыми точками InAs/GaAs, демонстрирующие при комнатной температуре фотолюминесценцию до 1.6 mum и интенсивную фотопроводимость до 2.6 mum. Вольт-ваттная чувствительность при комнатной температуре составила 3· 103 V/W в полосе пропускания Si фильтра, удельная обнаружительная способность 9· 108 cm· Hz1/2· W-1.

PACS: 78.67.Hc, 73.61.Ey, 81.15Gh

 PDF версия (144Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster