ПЖТФ, 2007, том 33, выпуск 23

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Критерий перехода когерентных нанокластеров Ge на Si от пирамидальной к куполообразной форме

К.Л.Сафонов, Ю.В.Трушин

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН
E-mail: trushin@edu.ioffe.ru

Поступило в Редакцию 24 апреля 2007 г.

Предложен физический критерий изменения равновесной формы упругонапряженных нанокластеров Ge, растущих на поверхности подложки кремния в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии. Сделана оценка критического размера пирамидальных кластеров, проведено сравнение с доступными в литературе экспериментальными данными.

PACS: 81.07.-b, 81.07.Ta, 81.10.Aj, 81.15.Hi, 82.20.Wt

 PDF версия (121Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster