ПЖТФ, 2007, том 33, выпуск 23

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электролюминесценция в изотипных гетероструктурах n-GaSb/n-AlGaAsSb/\tocont
n-GaInAsSb, обусловленная ударной ионизацией

Н.Л.Баженов, Б.Е.Журтанов, К.Д.Мынбаев, А.П.Астахова,
А.Н.Именков, М.П.Михайлова, В.А.Смирнов,
Н.Д.Стоянов, Ю.П.Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
E-mail: bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru

Поступило в Редакцию 19 апреля 2007 г.

Сообщается об исследовании электролюминесценции в изотипных гетероструктурах n-GaSb/n-AlGaAsSb/n-GaInAsSb, которая характеризуется увеличением квантовой эффективности за счет генерации дополнительных электронно-дырочных пар благодаря процессам ударной ионизации носителей заряда вблизи гетерограницы, обусловленных наличием глубоких колодцев в исследуемой гетероструктуре.

PACS: 78.55.Cr, 78.60.Fi, 85.60.Jb

 PDF версия (101Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster