ПЖТФ, 2007, том 33, выпуск 20: page 5...

ПЖТФ, 2007, том 33, выпуск 20

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Спектральная чувствительность твердого раствора (Si₂)_1-x(CdS)_x

А.С.Саидов, Ш.Н.Усмонов, К.Т.Холиков, Д.Сапаров

Физико-технический институт АН РУз, Ташкент
E-mail: Sh

Поступило в Редакцию 13 марта 2007 г.

Методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема оловянного раствора-расплава выращивались эпитаксиальные слои твердого раствора (Si

₂)_1-x(CdS)

_x (

0=< x=< 0.01

)

n

-типа проводимости на

p

Si подложках. Исследованы спектральные зависимости фоточувствительности

p

-n(

₂)_1-x(CdS)

_x структуры. Обнаружен пик чувствительности при

E~2.35

eV, который, по-видимому, обусловлен уровнем молекул CdS, расположенным на 1.25 eV ниже потолка валентной зоны кремния.

PACS: 78.20.-e, 81.05.Hd