ПЖТФ, 2007, том 33, выпуск 20

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в пленках Si : Ag

Г.А.Набиев

Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан
E-mail: gulamnabi@mail.ru

В окончательной редакции 7 марта 2007 г.

Приводится технология получения, исследования фотоэлектретного состояния в пленках Si, легированных Ag, в которых фотонапряжение генерируется за счет дембер-эффекта.

PACS: 81.05.-t

 PDF версия (94Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster