ПЖТФ, 2007, том 33, выпуск 19

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Улучшение параметров фотодиодных структур GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb с тонкой активной областью для спектрального диапазона 1.0-2.5 mum

А.П.Астахова, Б.Е.Журтанов, А.Н.Именков, М.П.Михайлова,
М.А.Сиповская, Н.Д.Стоянов, Ю.П.Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
E-mail: dap@iropt4.ioffe.ru

Поступило в Редакцию 2 марта 2007 г.

Исследованы фотодиодные гетероструктуры с красной границей фоточувствительности 2.5 mum на основе GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb с активной областью Ga0.76In0.24As0.22Sb0.78 различной толщины и отражающим излучение контактом на тыльной стороне структуры. Показано, что уменьшение толщины активной области и отражение излучения на тыльной стороне позволяют улучшить параметры фотодиодов и термофотовольтаических преобразователей в спектральном диапазоне 1.0-2.5 mum. Получена обнаружительная способность D*lambda=(3-6)· 1010 cm· Hz1/2/W и фотоэдс разомкнутой цепи Voc=0.2 V.

PACS: 85.60.DW

 PDF версия (135Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster