ПЖТФ, 2007, том 33, выпуск 17

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние перегрева электронов на туннельный ток молекулярного транзистора

В.В.Погосов, Е.В.Васютин, А.В.Бабич

Запорожский национальный технический университет, Украина
E-mail: vpogosov@zntu.edu.ua

Поступило в Редакцию 5 декабря 2006 г.

Исследовано влияние перегрева электронной подсистемы на кулоновскую блокаду в структуре на металлической грануле-молекуле со счетным количеством атомов. Вычислен спектр электронов в квантовых гранулах цилиндрической и сферичеcкой формы. ВАХ туннельных структур рассчитана для разных температурных режимов. Повышение температуры электронной подсистемы кластера приводит к исчезновению токовой щели и сильной сглаженности квантовых и кулоновских ступенек на ВАХ структуры, что и наблюдается в экспериментах.

PACS: 72.20.Fr, 73.22.Dj, 73.23.Hk

 PDF версия (163Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster