ПЖТФ, 2007, том 33, выпуск 15

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние модификации покровного слоя на свойства водородочувствительных диодных гетероструктур с квантовой ямой Pd/GaAs/InGaAs

С.В.Тихов, И.А.Карпович, Ю.Ю.Гущина, Л.А.Истомин

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
E-mail: Tikhov@phys.unn.ru

Поступило в Редакцию 10 января 2007 г.

Исследовано влияние развитого нанорельефа поверхности покровного слоя, модифицированной анодным окислением и/или травлением, на характеристики водородочувствительных диодных гетероструктур с квантовой ямой Pd/GaAs/InGaAs. Показано, что значительное увеличение чувствительности и быстродействия таких структур в основном связано с уменьшением эффективного расстояния от модифицированной поверхности, на которой происходит ионная хемосорбция атомарного водорода, до упруго сжатого слоя квантовой ямы InGaAs, задерживающего диффузию водорода, что увеличивает его концентрацию на этой поверхности.

PACS: 81.07.-b, 81.07.St

 PDF версия (165Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster