ПЖТФ, 2007, том 33, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Компьютерное моделирование роста когерентных островков в полупроводниковых системах Ge/Si и InAs/GaAs

К.Л.Сафонов, В.Г.Дубровский, Н.В.Сибирев, Ю.В.Трушин

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Научно-образовательный комплекс \glqq Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр\grqq РАН
E-mail: trushin@edu.ioffe.ru
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург

Поступило в Редакцию 13 ноября 2006 г.

Проведено компьютерное моделирование зарождения и роста ансамблей когерентных островков нанометровых размеров в полупроводниковых системах Ge/Si и InAs/GaAs при молекулярно-пучковой эпитаксии. Получены зависимости структурных параметров ансамблей островков от условий эпитаксиального роста: температуры подложки и скорости осаждения. Проведено сравнение теоретических результатов с экспериментальными данными.

PACS: 81.07.-b, 82.20.wt

 PDF версия (145Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster