ПЖТФ, 2007, том 33, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Акустостимулированное изменение коэффициента поглощения арсенида галлия в диапазоне длин волн lambda=0.81/ 1.77 mum

Н.Н.Заверюхина, Е.Б.Заверюхина, Б.Н.Заверюхин

Физико-технический институт НПО \glqq Физика-Солнце\grqq АН Республики Узбекистан, Ташкент
Национальный университет Узбекистана, Ташкент
E-mail: k4685@rambler.ru

В окончательной редакции 1 сентября 2006 г.

Рассмотрено влияние ультразвуковых волн на спектральный коэффициент поглощения арсенида галлия. Обнаружено, что облучение ультразвуковыми волнами GaAs-монокристаллов приводит к изменению коэффициентов поглощения электромагнитного излучения последних. Наблюдаемый эффект такого изменения коэффициента поглощения связан с тем, что ультразвуковая волна, являясь носителем энергии, модифицирует дефектную систему кристалла и производит перераспределение атомов примеси в нем. Взаимодействие фотонов с акустогенерированными дефектами и приводит к изменению коэффициентов поглощения вблизи края фундаментальной полосы арсенида галлия.

PACS: 78.20.-e, 78.30.Fs, 43.35.c

 PDF версия (159Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster