ПЖТФ, 2007, том 33, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование компенсации проводимости в кристаллах CdZnTe : Cl с разным содержанием цинка

О.А.Матвеев, Н.К.Зеленина, А.И.Терентьев,
А.А.Томасов, В.Н.Гуськов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва
E-mail: oleg.matveev@mail.ioffe.ru

Поcтупило в Редакцию 22 сентября 2006 г.

Исследовалось влияние давления пара кадмия при отжиге полуизолирующих кристаллов Cd1-xZnxTe : Cl (x=0.005; x=0.01; x=0.05) на компенсацию проводимости материала, используемого для создания детекторов ядерного излучения. Показано, что при малом содержании цинка (x=0.005 и x=0.01) определяющее действие на компенсацию проводимости в Cd1-xZnxTe : Cl оказывают точечные дефекты кадмия. При содержании цинка x=0.05 компенсация заряженных дефектов недостаточно регулируется изменением давления пара кадмия, что свидетельствует о существенном влиянии точечных дефектов цинка.

PACS: 07.85.Fv, 61.72.-y, 72.40.-w

 PDF версия (149Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster