ПЖТФ, 2007, том 33, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фоточувствительность гетеропереходов, полученных термическим окислением InP

Ю.А.Николаев, В.Ю.Рудь, Ю.В.Рудь, Е.И.Теруков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
E-mail: yuryrud@mail.ioffe.ru

Поступило в Редакцию 15 октября 2006 г.

Методом термического окисления впервые получены гетеропереходы n-Ox/p-InP. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и фотовольтаический эффект полученных структур в естественном и линейно-поляризованном излучении. Обсуждаются особенности токопереноса и широкополосная фоточувствительность. Сделан вывод о возможностях применения метода термического окисления InP для создания на его основе гетерофотоэлементов.

PACS: 71.20.Nr, 78.55.-m.

 PDF версия (184Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster