ПЖТФ, 2007, том 33, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Отжиги полуизолирующих кристаллов CdZnTe : Cl с различным содержанием Zn

О.А.Матвеев, Н.К.Зеленина, В.П.Карпенко,
А.И.Терентьев, А.А.Томасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
E-mail: oleg.matveev@mail.ioffe.ru

Поcтупило в Редакцию 13 июля 2006 г.

Показано влияние условий послеростового отжига под управляемым давлением пара кадмия и низкотемпературных отжигов полуизолирующих кристаллов Cd1-xZnxTe : Cl (x=0.0002; x=0.005; x=0.01; x=0.1), выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации, на основные параметры материала, ответственные за качество детекторов ядерного излучения.

PACS: 07.85.Fv, 61.72, 71.55.Gs, 72.40.w, 78.55.Et

 PDF версия (103Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster