ПЖТФ, 2007, том 33, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Относительная рентгеновская рефлектометрия дискретных слоистых структур

А.Г.Турьянский, С.А.Апрелов, Н.Н.Герасименко,
И.В.Пиршин, В.М.Сенков

Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва
Московский институт электронной техники, Зеленоград
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва
E-mail: tour@sci.lebedev.ru

Поступило в Редакцию 22 сентября 2006 г.

Методом относительной рентгеновской рефлектометрии впервые измерены параметры дискретной слоистой структуры. Описана рентгенооптическая схема измерения с использованием двух длин волн, обоснованы условия применения метода и алгоритм обработки данных. Приведены результаты измерения тест-объекта, полученного магнетронным напылением Ta на подложку Si через маску с периодически расположенными окнами. Разработанная схема может быть использована в полупроводниковой технологии для контроля параметров приборных структур наноразмерной толщины.

PACS: 61.10.Kw, 78.20.Ci, 07.60.Hv, 42.25.Gy, 68.55.-a.

 PDF версия (171Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster