| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Кремниевые металл--диэлектрик--полупроводник-варикапы с диэлектриком из оксида иттербия
В.А.Рожков, А.Ю.Трусова
Самарский государственный университет
Поступило в Редакцию 10 октября 1996 г.
|
Исследованы электрофизические свойства кремниевых металл--диэлектрик--полупроводник-варикапов с диэлектриком из оксида иттербия, полученного методом резистивного вакуумного распыления редкоземельного металла с последующим термическим окислением пленки на воздухе при температуре C. Установлено, что электропроводность образцов описывается законом Пула--Френкеля. Методом высокочастотных вольт-емкостных характеристик определены удельная емкость диэлектрика мкФ/см, крутизна вольт-емкостной характеристики пФ/В, фиксированный заряд в диэлектрике Кл/см, плотность поверхностных состояний при потенциале плоских зон . Установлено, что коэффициент перекрытия емкости в металл--диэлектрик--полупроводник-варикапах составлял 2.5--3. Показана перспективность использования исследованных структур в качестве металл--диэлектрик--полупроводник-варикапов с малыми управляющими напряжениями и высокой добротностью. |
| PDF версия (71Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 1997, Коллектив авторов Разработано... webmaster |