ПЖТФ, 1997, том 23, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Кремниевые металл--диэлектрик--полупроводник-варикапы с диэлектриком из оксида иттербия

В.А.Рожков, А.Ю.Трусова

Самарский государственный университет

Поступило в Редакцию 10 октября 1996 г.

Исследованы электрофизические свойства кремниевых металл--диэлектрик--полупроводник-варикапов с диэлектриком из оксида иттербия, полученного методом резистивного вакуумного распыления редкоземельного металла с последующим термическим окислением пленки на воздухе при температуре 500-500oC.

Установлено, что электропроводность образцов описывается законом Пула--Френкеля. Методом высокочастотных вольт-емкостных характеристик определены удельная емкость диэлектрика C0=0.027-0.03 мкФ/см2, крутизна вольт-емкостной характеристики dC/dV=35-40 пФ/В, фиксированный заряд в диэлектрике Qф=(1.7-2.7)· 10-8 Кл/см2, плотность поверхностных состояний при потенциале плоских зон Nss=(1-2)· 1011 см-2· эВ-1. Установлено, что коэффициент перекрытия емкости в металл--диэлектрик--полупроводник-варикапах составлял 2.5--3.

Показана перспективность использования исследованных структур в качестве металл--диэлектрик--полупроводник-варикапов с малыми управляющими напряжениями и высокой добротностью.

 PDF версия (71Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 1997, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster