Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптическое усиление в сильнолегированных Al0.65Ga0.35N:Si-структурах при непрерывной накачке
Государственное задание ФАНО России , FWGW–2022–0012
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: bokhan@isp.nsc.ru, zuravlev@isp.nsc.ru, zakrdm@isp.nsc.ru, mal-tv@isp.nsc.ru, fateev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 17 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 9 июля 2024 г.
Принята к печати: 12 июля 2024 г.
Выставление онлайн: 14 октября 2024 г.
Измерены коэффициенты оптического усиления в сильнолегированных слоях Al0.65Ga0.35N:Si при непрерывной накачке широкополосным излучением (190-330 nm) и комнатной температуре. Установлено, что при плотности мощности оптической накачки 3.2 mW/сm2 значение коэффициента оптического усиления составляет 212 сm-1, что хорошо совпадает с данными, полученными при импульсном возбуждении. Измеренное значение сечения излучательной рекомбинации при непрерывном оптическом возбуждении составляет σ~ 10-15 сm2. Ключевые слова: сильнолегированные структуры AlxGa1-xN, оптическое усиление, сечение излучательной рекомбинации.
- D. Li, K. Jiang, X. Sun, C. Guo, Adv. Opt. Photon., 10, 43 (2018). DOI: 10.1364/AOP.10.000043
- Y. Huang, Y. Li, D. Xiang, IEEE Access, 11, 1 (2023). DOI: 10.1109/ACCESS.2023.3348273
- P.A. Bokhan, N.V. Fateev, T.V. Malin, I.V. Osinnykh, D.E. Zakrevsky, K.S. Zhuravlev, J. Lumin., 252, 119392 (2022). DOI: 10.1016/j.jlumin.2022.119392
- П.А. Бохан, К.С. Журавлев, Д.Э. Закревский, Т.В. Малин, Н.В. Фатеев, ФТП, 57 (9), 731 (2023). DOI: 10.61011/FTP.2023.09.56987.5627 [P.A. Bokhan, K.S. Zhuravlev, D.E. Zakrevsky, T.V. Malin, N.V. Fateev, Semiconductors, 57 (9), 705 (2023). DOI: 10.61011/SC.2023.09.57433.5627]
- K.L. Shaklee, R.F. Leheny, Appl. Phys. Lett., 18, 475 (1971). DOI: 10.1063/1.1653501
- J.F. Muth, J.D. Brown, M.A.L. Jonson, Z. Yu, R.M. Kolbas, J.W. Cook, J.F. Schetzina, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4 (Suppl. 1), 502 (1999). DOI: 10.1557/S1092578300002957
- L. Cerdan, Opt. Lett., 42, 5258 (2017). DOI: 10.1364/OL.42.005258
- А.Г. Зверев, Р.Ф. Набиев, А.Н. Печенов, Ю.М. Попов, С.Д. Скорбун, Квантовая электроника, 7 (9), 2011 (1980). [A.G. Zverev, R.F. Nabiev, A.N. Pechenov, Yu.M. Popov, S.D. Skorbun, Sov. J. Quantum Electron., 10 (9), 1163 (1980). DOI: 10.1070/QE1980v010n09ABEH010695]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
