Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 15 » Статья стр. 22
<<<>>>
Сверхвысокочастотные диоды Шоттки на основе одиночных нитевидных нанокристаллов GaN
DOI: 10.21883/PJTF.2022.15.53127.19229
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.08.55053.19229
Российский научный фонд, 19-72-30004
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 19-38-90026
Совет по грантам Президента РФ, СП-4018.2022.3
Совет по грантам Президента РФ, СП-2169.2021.1
Шугуров К.Ю. 1, Можаров А.М.2, Сапунов Г.А.1, Фёдоров В.В.1, Моисеев Э.И.3, Блохин С.А.4, Кузьменков А.Г.4, Мухин И.С.1,5
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: shugurov17@mail.ru
Поступила в редакцию: 21 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 16 июня 2022 г.
Принята к печати: 17 июня 2022 г.
Выставление онлайн: 14 июля 2022 г.
PDF версия
Изготовлена серия диодов Шоттки на основе одиночных нитевидных нанокристаллов GaN, демонстрирующих электронный тип проводимости. По данным малосигнального частотного анализа (параметр S21) диодных структур при различных напряжениях смещения определены параметры соответствующей эквивалентной электрической схемы. Показано, что частота отсечки созданных диодов достигает 27.5 GHz. Ключевые слова: GaN, нитевидные нанокристаллы, СВЧ, диод Шоттки.
  1. L.F.S. Alves, R.C.M. Gomes, P. Lefranc, R. De A. Pegado, P.-O. Jeannin, B.A. Luciano, F.V. Rocha, in 2017 Brazilian Power Electron. Conf. (IEEE, 2017), p. 1. DOI: 10.1109/COBEP.2017.8257396
  2. R. Calarco, R.J. Meijers, R.K. Debnath, T. Stoica, E. Sutter, H. Luth, Nano Lett., 7 (8), 2248 (2007). DOI: 10.1021/nl0707398
  3. A.D. Bolshakov, V.V. Fedorov, K.Y. Shugurov, A.M. Mozharov, G.A. Sapunov, I.V. Shtrom, M.S. Mukhin, A.V. Uvarov, G.E. Cirlin, I.S. Mukhin, Nanotechnology, 30 (39), 395602 (2019). DOI: 10.1088/1361-6528/ab2c0c
  4. G. Sabui, V.Z. Zubialevich, M. White, P. Pampili, P.J. Parbrook, M. McLaren, M. Arredondo-Arechavala, Z.J. Shen, IEEE Trans. Electron Dev., 64 (5), 2283 (2017). DOI: 10.1109/TED.2017.2679727
  5. Y. Liao, T. Chen, J. Wang, Y. Ando, W. Cai, X. Yang, H. Watanabe, J. Hirotani, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, K.J. Chen, H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys., 60 (7), 070903 (2021). DOI: 10.35848/1347-4065/ac06b5
  6. C.-J. Chiang, T.M. Wallis, D. Gu, A. Imtiaz, P. Kabos, P.T. Blanchard, K.A. Bertness, N.A. Sanford, K. Kim, D. Filipovic, J. Appl. Phys., 107 (12), 124301 (2010). DOI: 10.1063/1.3428391
  7. T.M. Wallis, D. Gu, A. Imtiaz, C.S. Smith, C.-J. Chiang, P. Kabos, P.T. Blanchard, N.A. Sanford, K.A. Bertness, IEEE Trans. Nanotechnol., 10 (4), 832 (2011). DOI: 10.1109/TNANO.2010.2084588
  8. A.D. Bolshakov, A.M. Mozharov, G.A. Sapunov, I.V. Shtrom, N.V. Sibirev, V.V. Fedorov, E.V. Ubyivovk, M. Tchernycheva, G.E. Cirlin, I.S. Mukhin, Beilstein J. Nanotechnol., 9 (1), 146 (2018). DOI: 10.3762/bjnano.9.17
  9. L.F. Tiemeijer, R.J. Havens, IEEE Trans. Electron Dev., 50 (3), 822 (2003). DOI: 10.1109/TED.2003.811396
  10. D.A. Frickey, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 42 (2), 205 (1994). DOI: 10.1109/22.275248
  11. Y. Liu, W. Yao, H. Liu, L. Yang, S. Liu, L. Yang, F. Wang, Y. Ren, J. Shen, M. Zhang, Z. Wu, Y. Liu, Q. Wang, X. Wang, B. Zhang, Mater. Sci. Semicond. Process., 133, 105934 (2021). DOI: 10.1016/j.mssp.2021.105934
  12. Y. Cho, H.-K. Kim, M. Nekovee, H.-S. Jo, IEEE Access., 8, 163618 (2020). DOI: 10.1109/ACCESS.2020.3022044

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme