Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 20 » Статья стр. 51
<<<
Гетеробарьерные варакторы с неоднородно легированными модулирующими слоями
DOI: 10.21883/PJTF.2019.20.48396.17960
Переводная версия: 10.1134/S1063785019100250
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), офи_м, 16-29-03346
Малеев Н.А. 1, Бобров М.А. 1, Кузьменков А.Г. 2, Васильев А.П. 2, Кулагина М.М. 1, Гусева Ю.А. 1, Блохин С.А. 1, Устинов В.М. 2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: maleev@beam.ioffe.ru, bobrov.mikh@gmail.com, kuzmenkov@mail.ioffe.ru, vasiljev@mail.ioffe.ru, Marina.Kulagina@mail.ioffe.ru, guseva.ja@gmail.com, Blokh@mail.ioffe.ru, Vmust@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
PDF версия
Оптимальная форма вольт-фарадной характеристики является критическим параметром, определяющим эффективность умножения для гетеробарьерных варакторов (ГБВ) миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. Численная модель для расчета вольт-фарадных характеристик и токов утечки ГБВ с произвольным профилем состава и легирования верифицирована на основе опубликованных и оригинальных экспериментальных данных. Спроектированная гетероструктура ГБВ с тремя нелегированными барьерами InAlAs/AlAs/InAlAs в окружении неоднородно легированных модулирующих слоев n-InGaAs выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке InP. Тестовые ГБВ, изготовленные из выращенных гетероструктур, демонстрируют близкую к косинусоидальной форму вольт-фарадной характеристики при напряжениях смещения до 2 V, увеличенный коэффициент перекрытия по емкости и низкие токи утечки. Ключевые слова: гетеробарьерный варактор, вольт-фарадная характеристика, эпитаксия.
  1. Kollberg E., Rydberg A. // Electron. Lett. 1989. V. 25. P. 1696--1697
  2. Malko A., Bryllert T., Vukusic J., Stake J. // 24th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials. Santa Barbara, USA, 2012. P. 92--94
  3. Stake J., Malko A., Bryllert T., Vukusic J. // Proc. IEEE. 2017. V. 105. P. 1008--1019
  4. Малеев Н.А., Беляков В.А., Васильев А.П., Бобров М.А., Блохин С.А., Кулагина М.М., Кузьменков А.Г., Неведомский В.Н., Гусева Ю.А., Малеев С.Н., Ладенков И.В., Фефелова Е.Л., Фефелов А.Г., Устинов В.М. // ФТП. 2017. Т. 51. В. 11. С. 1484--1488
  5. Малеев Н.А., Бобров М.А., Кузьменков А.Г., Васильев А.П., Кулагина М.М., Малеев С.Н., Блохин С.А., Неведомский В.Н., Устинов В.М. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 19. С. 16--23
  6. Wettstein A., Schenk A., Fichtner W. // IEEE Trans. Electron Dev. 2001. V. 48. P. 279--284
  7. Carbonell J., Boria V.E., Lippens D. // Microwave Opt. Technol. Lett. 2008. V. 50. P. 474--479
  8. Gozu S., Mozume T., Kuwatsuka H., Ishikawa H. // Nanoscale Res. Lett. 2012. V. 7. P. 620

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme