Вышедшие номера
Каскадные солнечные элементы на основе наногетероструктур GaP/Si/Ge
Переводная версия: 10.1134/S1063785019030313
Лунин Л.С.1, Лунина М.Л.1, Пащенко А.С.1, Алфимова Д.Л.1, Арустамян Д.А.1, Казакова А.Е.1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Методом импульсного лазерного напыления получены наногетероструктуры GaP/Si/Ge. Проведено моделирование энергетической диаграммы каскадных солнечных элементов GaP/Si/Ge. Выращенные на подложках Si нанослои GaP и Ge исследованы методом рамановской спектроскопии и рентгеновской дифракции. Изучены спектральные зависимости внешнего квантового выхода фотоответа наногетероструктур на основе GaP/Si/Ge для каскадных солнечных элементов.
  1. Jain N., Hudait M.K. // Energy Harvesting Syst. 2014. V. 1. N 3-4. P. 121--145. DOI: 10.1515/ehs-2014-0012
  2. Krier A., Yin M., Marshall A.R.J., Krier S.E. // J. Electron. Mater. 2016. V. 45. N 6. P. 2826--2830. DOI: 10.1007/s11664-016-4373-0
  3. Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Румянцев В.Д. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 8. С. 937--948
  4. Alferov Zh.I., Andreev V.M., Rumyantsev V.D. III-V heterostructures in photovoltaics // Concentrator photovoltaics / Eds A. Luque Lopez , V.M. Andreev. Springer Ser. in Optical Sciences. 2007. V. 130. P. 25--50. DOI: 10.1007/978-3-540-68798-6\_2
  5. Лунин Л.С., Лунина М.Л., Девицкий О.В., Сысоев И.А. // ФТП. 2017. Т. 53. В. 3. С. 403--408. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44216.8299
  6. Лунин Л.С., Лунина М.Л., Казакова А.Е., Пащенко А.С., Алфимова Д.Л., Арустамян Д.А. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 24. С. 75--80. DOI: 10.21883/PJTF.2019.06.47489.17635

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.