Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Положительная задержанная фотопроводимость в двойных гетероструктурах Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As p-типа
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
Email: min@mig.phys.msu.su
Поступила в редакцию: 8 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.
Положительная задержанная фотопроводимость обнаружена в двойных гетероструктурах Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As p-типа после облучения красным светодиодом. В этом состоянии наблюдалось увеличение концентрации двумерных дырок в 1.5 раза и их подвижности в 1.7 раза по сравнению со значениями в начальном темновом состоянии. Задержанная фотопроводимость может быть объяснена существованием глубоких электронных ловушек, расположенных на инвертированной гетерогранице выше уровня Ферми.
- Chou M.J., Tsui D.C., Weimann G. // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. P. 609
- Pfeiffer L., Schubert E.F., West K.W. et al. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58 (20). P. 2258
- Krispin P., Hey R., Kostial H. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. P. 5773
- Kusters R.M., Janssen T.J.B.M., Langerak C.G.M. et al. // Semicond. Sci. Technol. 1992. V. 7. P. 961
- Sakaki H., Noda T., Hirakawa K. et al. // J. Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. P. 1934
- Lee K., Shur M.S., Drummond T.J. et al. // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. P. 6432
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
