Вышедшие номера
Маска для формирования микрорисунка на алмазной пленке
Белоусов М.Э.1, Ильичев Э.А.1, Кулешов А.Е.1, Матвеева Н.К.1, Минаков П.В.1, Петрухин Г.Н.1, Набиев Р.М.1, Рычков Г.С.1
1Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета
Email: polt@niifp.ru
Поступила в редакцию: 21 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

Рассматривается технология формирования масок для травления алмазных пленок. Предлагаемая технология позволяет осуществить высокоточную литографию на алмазных пленках с площадью до 104 mm2. Минимальные размеры, которые могут быть при этом реализованы, определяются только уровнем литографии, достигнутой для кремниевых интегральных схем. Предлагаемая технология может быть использована для разработки уникальных приборов, в том числе и биосенсора для расшифровки генома человека.
  1. May P.W. // Phil. Trans. R. Soc. Lond. A. 2000. V. 358. P. 473--495
  2. Gurbur Y., Esame O., Tekin I. et al. // Solid-State Electronics. 2005. V. 49. P. 1005--1070
  3. Jensen K.L., Yater J.E., Shaw J.L. et al. // J. Appl. Phys. 2010. V. 108. P. 044509 (1--12)
  4. Zou Y.S., Tyang Y., Zhang W.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 053105 (1--3)
  5. Doering P., Genis A., Linares R. // Large Area Single Crystal Diamond Wafers; Applications, Status, and Future Perspectives CS. Mantech Conference. Austin, Texas, USA. May 14--17, 2007. P. 127--128
  6. Robarot M., Widiez J., Saada S. et al. // Diamond Relat. Mater. 2010. V. 19. P. 796--805
  7. Tran D.T., Fanster C., Grotjohn T.A. et al. // Diamond Relat. Mater. 2010. V. 19. P. 778--782
  8. Takasu Y., Konishi S., Sugimoto W. et al. // Electrochemical and Solid-State Letters. 2006. V. 9 (7). P. 114--C117
  9. Гаврилов С.А., Дзбановский Н.Н., Ильичев Э.А. и др. // ЖТФ. 2004. Т. 74. В. 1. С. 108--114
  10. Dvorkin V.V., Dzbanovsky N.N., Suetin N.V. et al. // Diamond Relat. Mater. 2003. V. 12. P. 2208--2218
  11. Tatsumi N., Ueda A., Seki Y. et al. // SEI Technical Review. 2007. N 64. P. 15--20
  12. Smirnov W., Hees J.J., Brink D. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. P. 073117 (1--3)
  13. Kriele A., Williams O.A., Wobfer M. et al. // Chemical Physics Letters. 2011. V. 507. N 4--6. P. 253--259

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.