Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2012, выпуск 5 » Статья стр. 28
<<<>>>
Формирование и свойства тонких пленок силицидов железа на поверхности Si(111): моделирование из первых принципов
Куянов И.А.1,2, Алексеев А.А.1,2, Зотов А.В.1,2
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
Email: igorkuyanov@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.
PDF версия
В приближении обобщенного градиента теории функционала плотности были проведены расчеты полной энергии, а также моделировалось атомное строение и электронная структура тонких пленок FeSi со структурой типа CsCl и gamma-FeSi2 со структурой CaF2 на поверхности Si(111). Показано, что при адсорбции 2 монослоев атомов железа наиболее энергетически выгодным является рост пленки gamma-FeSi2 со структурой CaF2. Электронная структура силицидной пленки, формирующейся при напылении 1 монослоя атомов железа, имеет особенности, характерные как для FeSi, так и для gamma-FeSi2. Рассчитанная плотность электронных состояний пленки gamma-FeSi2 хорошо согласуется с известными из литературы фотоэмиссионными спектрами.
  1. Murarka S.P. Silicides for VLSI applications. New York: Academic Press, 1983
  2. von Kanel H., Mader K.A., Muller E., Onda N., Sirringhaus H. // Phys. Rev. B. 1992. V. 45. P. 13807
  3. Onda N., Henz J., Muller E., Mader K.A., von Kanel H. // Appl. Surf. Sci. 1992. V. 56--58. P. 421
  4. Alvarez J., Vazquez de Parga A.L., Hinarejos J.J., de la Figuera J., Michel E.G., Ocal C., Miranda R. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1993. V. 11. P. 929
  5. Wallart X., Nys J.P., Tetelin C. // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. P. 5714
  6. von Kanel H., Onda N., Sirringhaus H., Muller-Gubler E., Goncalves-Conto S., Schwarz C. // Appl. Surf. Sci. 1993. V. 70/71. P. 559
  7. Kataoka K., Hattori K., Miyatake Y., Daimon H. // Phys. Rev. B. 2006. V. 74. P. 155406
  8. Shirasawa T., Sekiguchi K., Iwasawa Y., Voegeli W., Takahashi T., Hattori K., Hattori A.N., Daimon H., Wakabayashi Y. // e-J. Surf. Sci. Nanotech. 2009. V. 7. P. 513
  9. Алексеев А.А., Куянов И.А., Зотов А.В. // ЖТФ. 2009. Т. 79. В. 11. С. 1
  10. Walter S., Blobner F., Krause M., Muller S., Heinz K., Starke U. // J. Phys.: Condens. Matter. 2003. V. 15. P. 5207
  11. Blockstedte M., Kley A., Beugebauer J., Scheffler M. // Comput. Phys. Commun. 1997. V. 107. P. 187
  12. Walter S., Bandorf R., Weiss W., Heinz K., Starke U., Strass M., Bockstedte M., Pankratov O. // Phys. Rev. B. 2003. V. 67. P. 085413
  13. Zotov A.V., Utas O.A., Kotlyar V.G., Kuyanov I.A., Saranin A.A. // Phys. Rev. B. 2007. V. 76. P. 115310
  14. Mader K.A., von Kanel H., Baldereschi A. // Phys. Rev. B. 1993. V. 48. P. 4364
  15. O'Brien W.L., Tonner B.P. // Surf. Sci. 1994. V. 312. P. 233

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme