Облучение электронами с энергией 0.9 MeV p-SiC, выращенного методом сублимации
Лебедев А.А.1, Козловский В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Поступила в редакцию: 17 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.
Определена скорость удаления носителей (Vd) в 3 политипах SiC, выращенного методом сублимации, p-типа проводимости при его облучении электронами с энергией 0.9 MeV. На основе известных литературных данных проводится сравнение величины Vd в карбиде кремния при комнатной температуре в зависимости от политипа, типа проводимости и технологии изготовления. Предложена модель, объясняющая различие в значениях величины Vd.
- Matsuura H., Aso K., Kagamihara S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 4981
- Zolnai Z., Son N.T., Hallin C., Janzen E. // J. Appl. Phys. 2004. V. 96. P. 2408
- Luo J.M., Zhong Z.Q., Gong M., Fung S, Ling C.C. // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. P. 063 711
- Savkina N.S., Lebedev A.A., Davydov D.V. et al. // Materials Science and Engineering. B. 2000. V. 61--62. P. 50--54
- Matsuura H., Minohara N., Ohsima T. // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. P. 043 702
- Kozlovski V.V., Bogdanova E.V., Emtsev V.V., Emtsev K.V., Lebedev A.A., Lomasov V.N. // Material Science Forum. 2005. V. 483--485. P. 383
- Козловский В.В., Емцев В.В., Емцев К.B., Строкан Н.Б., Иванов А.М., Ломасов В.Н., Оганесян Г.А., Лебедев А.А. // ФТП. 2008. V. 42. P. 243
- Iwamoto N., Onoda S., Hishiki S., Oshima T. et al. // Material Science Forum. 2009. V. 600--603. P. 1043
- Mikelsen J., Grossner U., Bleka J.H., Monakhov E.V., Svensson B.G., Yakimova R., Henry A., Janzen E., Lebedev A.A. // Mater. Sci. Forum. 2009. V. 425. P. 600--603
- Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S. Properties of Advanced Semiconductor materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. New York: Wiley, 2001
- Camara N. et al. // Semiconductor Science and Technology. 2008. V. 23. P. 025 016
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук