| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Матвеев О.А., Зеленина Н.К., Карпенко В.П., Терентьев А.И., Томасов А.А. Отжиги полуизолирующих кристаллов CdZnTe : Cl с различным содержанием Zn | 1 |
|---|---|
| Самойленко З.А., Ивахненко Н.Н. Локальная аморфизация атомной структуры в ферритах MgZnFeO | 8 |
| Трофимов В.А., Терешин Е.Б. О возможности \glqq туннелирования\grqq энергии фемтосекундного лазерного импульса в области запрещенных частот одномерного фотонного кристалла | 16 |
| Нефедов Д.В., Яфаров Р.К. Влияние упругих взаимодействий на формирование кремниевых нанокристаллитов на некристаллических подложках в плазме СВЧ газового разряда низкого давления | 26 |
| Пирятинский Ю.П., Севрюкова М.М. Влияние молекулярно-дисперсной структуры раствора полярного красителя в жидкокристаллической матрице на его спектры фотолюминесценции и генерацию второй гармоники | 35 |
| Дюделев В.В., Соколовский Г.С., Лосев С.Н., Дерягин А.Г., Кучинский В.И., Никишин С.А., Холтц М., Рафаилов Э.У., Сиббет В. Фазовые эффекты в широкополосковых гетеролазерах с искривленными штрихами решетки обратной связи | 43 |
| Моисеев К.Д., Пархоменко Я.А., Анкудинов А.В., Гущина Е.В., Михайлова М.П., Титков А.Н., Яковлев Ю.П. Квантовые точки InSb/InAs, полученные методом жидкофазной эпитаксии | 50 |
| Грехов И.В., Шматов М.Л. О возможности создания малого плазменного облака электрическим импульсом с 20-пикосекундным фронтом нарастания | 58 |
| Сейсян Р.П., Ермакова А.В., Калитеевская Н.А., Марков Л.К., Рымалис М.Р. Абляция тонких эпитаксиальных пленок GaN под действием импульсного излучения KrF эксимерного лазера | 64 |
| Дедков Г.В., Кясов А.А. Тепловое излучение наночастиц в вакууме и вблизи нагретой поверхности | 71 |
| Костыря И.Д., Тарасенко В.Ф., Ткачев А.Н., Яковленко С.И. Объемное рентгеновское излучение в газовых диодах при атмосферном давлении | 79 |
| Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фоточувствительность гетеропереходов, полученных термическим окислением InP | 87 |