Школьник С.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Колесников Е.К.
Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт математики и механики им. В.И. Смирнова, Санкт-Петербург, Россия
4
Мануйлов А.С.
Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт математики и механики им. В.И. Смирнова, Санкт-Петербург, Россия
4
Явор С.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дюжев Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Курнаев В.А.
Московский государственный инженерно-физический институт, Москва, Россия
3
Дмитриев С.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ляликов А.М.
Гродненский государственный университет им. Янки Купалы, Гродно, Беларусь
3
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
3
Коромыслов В.А.
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
3
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
3
Вендик О.Г.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Осипов А.В.
Институт проблем машиностроения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бухман Н.С.
Мичуринская государственная сельскохозяйственная академия. Мичуринск, Россия
3
Демидов Б.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3
Ивкин М.В.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3
Ивонин И.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3
Петров В.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3
Ефремов В.П.
Научно-исследовательский центр теплофизики импульсных воздействий РАН, Москва, Россия
3
Бакшт Ф.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Баранова Л.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Урман Ю.М.
Нижегородский государственный педагогический университет, Нижний Новгород, Россия
2
Митрофанов Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Воронин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лев М.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шнеерсон Г.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Бычков В.Л.
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
2
Бохан П.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Закревский Д.Э.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Матышев А.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Филатов В.В.
Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д.В. Ефремова, Санкт-Петербург, Россия
2
Мамырин Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Благов Е.В.
Северо-Западный заочный политехнический институт, Санкт-Петербург, Россия
2
Климчицкая Г.Л.
Северо-Западный заочный политехнический институт, Санкт-Петербург, Россия
2
Мостепаненко В.М.
Северо-Западный заочный политехнический институт, Санкт-Петербург, Россия
2
Урусов В.А.
Московский государственный инженерно-физический институт, Москва, Россия
2
Круглов С.Л.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Кузовников А.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Шибков В.М.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Шибкова Л.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Акчурин Р.Х.
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В.Ломоносова, Москва, Россия
2
Комаров Д.В.
Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
2
Котов В.М.
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино, Московская область, Россия
2
Хмель С.Я.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
2
Шарафутдинов Р.Г.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
2
Завтрак С.Т.
Институт ядерных проблем Белорусского государственного университета, Минск, Беларусь
2
Волков И.В.
Институт ядерных проблем Белорусского государственного университета, Минск, Беларусь
2
Павленко Ю.Г.
Специализированный учебно-научный центр Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Буть А.И.
Гродненский государственный университет им. Янки Купалы, Гродно, Беларусь
2
Галечян Г.А.
Институт прикладных проблем физики АН Армении, Ереван, Армения
2
Зюзин А.М.
Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск, Россия
2
Радайкин В.В.
Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск, Россия
2
Голубовский Ю.Б.
Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
2
Порохова И.А.
Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
2
Абрамова К.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Семенов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Романовский В.Р.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Зубко С.П.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Яламов Ю.И.
Московский педагогический университет, Москва, Россия
2
Исупов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Семенцов Д.И.
Филиал Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова, Ульяновск, Россия
2
Никулин М.Г.
Московский радиотехнический институт РАН, Москва, Россия
2
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиностроения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Селезнев В.Д.
Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики при Казахском государственном университете им. Аль--Фараби, Алма-Ата, Казахстан
2
Сорокин А.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Масленников В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сахаров В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Лапушкина Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Васильева Р.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ерофеев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зуев А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соснин Э.А.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Соминский Г.Г.
Санкт-Перербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Гомоюнова М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пронин И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Овсянникова Л.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фишкова Т.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рухадзе А.А.
Институт общей физики РАН, Москва, Россия
2
Картошкин В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Клементьев Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Макаров К.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
1
Марвина Л.А.
Амурский государственный университет, Благовещенск, Россия
1
Габович А.М.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Розенбаум В.М.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Эпштейн Э.М.
Научно-исследовательский институт "Платан", Фрязино, Россия
1
Якутин Н.В.
Московский инженерно-физический институт, Москва, Россия
1
Кривец В.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Осипов А.И.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Волков Е.Д.
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
1
Павличенко О.С.
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
1
Кулакова Е.А.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
1
Саенко И.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Бардышев А.О.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Холодняк Д.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Кейс В.Н.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Токман И.Д.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Ермолович И.Б.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев, Украина Научно-исследовательский институт "Сатурн", Киев, Украина
1
Ильин И.Ю.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев, Украина Научно-исследовательский институт "Сатурн", Киев, Украина
1
Колыско А.Л.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Емелин С.Е.
Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного универститета, Санкт-Петербург, Россия
1
Васильев С.В.
Институт общей физики РАН, Москва, Россия
1
Кострица С.А.
Институт общей физики РАН, Москва, Россия
1
Мишин В.А.
Институт общей физики РАН, Москва, Россия
1
Извозчиков А.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Петров С.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Чернышев Ф.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Барышников Ф.Ф.
Особое конструкторское бюро "Гранат", Москва, Россия
1
Мальцев А.А.
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Московская область, Россия
1
Амиров А.Х.
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
1
Шушкевич Г.Ч.
Гродненский государственный университет им. Янки Купалы, Гродно, Беларусь
1
Голубев Е.М.
Всесоюзный научный центр "ГОИ" им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
1
Александрова А.А.
Харьковский военный университет, Харьков, Украина Харьковский техничекий университет радиоэлектроники, Харьков, Украина
1
Александров Ю.Н.
Харьковский военный университет, Харьков, Украина Харьковский техничекий университет радиоэлектроники, Харьков, Украина
1
Пилюгин Н.Н.
Научно-исследовательский институт механики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Комолов В.Л.
Всесоюзный научный центр "ГОИ им. С.И.Вавилова", Санкт-Петербург, Россия
1
Селищев С.В.
Московский институт электронной техники, Москва, Россия
1
Терещенко С.А.
Московский институт электронной техники, Москва, Россия
1
Попик Т.Ю.
Институт электронной физики НАН Украины, Ужгород, Украина
1
Половко Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Юшков Г.Ю.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
1
Ильичева Е.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Клушина А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Зубринов И.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Сапожников В.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Шелопут Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Кузнецов В.А.
Институт физической химии РАН, Москва, Россия
1
Иванова Т.С.
Институт физической химии РАН, Москва, Россия
1
Саунин Е.И.
Институт физической химии РАН, Москва, Россия
1
Какичашвили Ш.Д.
Институт кибернетики АН Грузии, Тбилиси, Грузия
1
Килосанидзе Б.Н.
Институт кибернетики АН Грузии, Тбилиси, Грузия
1
Шакиров М.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Егоров В.В.
Учебно-научно-производственный центр при Одесском государственном университете им.И.И.Мечникова, Одесса, Украина
1
Канищева Н.А.
Учебно-научно-производственный центр при Одесском государственном университете им.И.И.Мечникова, Одесса, Украина
1
Козел В.В.
Учебно-научно-производственный центр при Одесском государственном университете им.И.И.Мечникова, Одесса, Украина
1
Кандаурова Г.С.
Уральский государственный университет им. А.М. Горького, Екатеринбург, Россия
1
Свалов А.В.
Уральский государственный университет им. А.М. Горького, Екатеринбург, Россия
1
Латышев С.В.
Институт теоретической и экспериментальной физики, Москва, Россия
1
Мухоморов В.К.
Агрофизический научно-исследовательский институт, Санкт-Петербург, Россия
1
Петровский С.В.
Институт океанологии им. П.П. Ширшова РАН, Москва, Россия
1
Овчинников К.Д.
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
1
Кислицын Э.Б.
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
1
Пресняков Ю.П.
Московский инженерно-физический институт, Москва, Россия
1
Бугаев С.П.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
1
Коротаев А.Д.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
1
Оскомов К.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
1
Кузьмичев Н.Д.
Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск, Россия
1
Рандошкин В.В.
Совместная хозрасчетная лаборатория "Магнитооптоэлектроника" Института общей физики РАН при Мордовском государственном университете им. Н.П. Огарева, Саранск, Россия
1
Шилько Е.В.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
1
Коростелев С.Ю.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
1
Дмитриев А.И.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
1
Клецкий С.В.
Институт физики полупроводников НАНУ, Киев, Украина
1
Сукач Г.А.
Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Олексенко П.Ф.
Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1
Болотовский Б.М.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Данилов И.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Борзенков Д.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Филимонов А.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Коварский А.П.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Кудрявцев Ю.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Скрипаль Л.П.
Сухумский физико-технический институт Сухуми, Грузия
1
Атамуратов А.Э,
Ургенчский государственный университет им. Аль-Хорезми, Ургенч, Узбекистан
1
Амромин Э.Л.
Центральный научно-исследовательский институт им. А.Н. Крылова, Санкт-Петербург, Россия
1
Бушковский В.А.
Центральный научно-исследовательский институт им. А.Н. Крылова, Санкт-Петербург, Россия
1
Шейкин Е.Г.
Научно-исследовательское предприятие гиперзвуковых систем, Санкт-Петербург, Россия
1
Спивак Л.В.
Пермский государственный университет, Пермь, Россия Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
1
Крылов Б.В.
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
1
Жаров А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Нефедов И.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Резник А.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Шибанова Н.М.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербугр, Россия
1
Штельмах К.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербугр, Россия
1
Косов В.Н.
Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики при Казахском государственном университете им. Аль--Фараби, Алма-Ата, Казахстан
1
Шуаибов А.К.
Ужгородский государственный университет, Ужгород, Украина
1
Шевера И.В.
Ужгородский государственный университет, Ужгород, Украина
1
Бондаренко Г.В.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
1
Эдельман И.С.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
1
Овчинников С.Г.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
1
Горелик В.С.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Рахматуллаев И.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Дороговцев С.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Черноусов Ю.Д.
Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Шеболаев И.В.
Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Войцеховский И.А.
Институт ионно-плазменных и лазерных технологий им. У.А. Арифова АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
1
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Костюченко В.Я.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Фараджев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Зайцев Б.Д.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН, Саратов, Россия
1
Кузнецова И.Е.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН, Саратов, Россия
1
Бабанов М.В.
Институт теплофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
1
Ермаков Г.В.
Институт теплофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
1
Фаттахов Я.В.
Казанский физико-технический институт РАН, Казань, Россия
1
© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук