Вышедшие номера
Импульсные характеристики n+-p-переходов на основе Hg08Cd02Te
Вирт И.С.1
1Дрогобычский государственный педагогический институт им. И.Франко, Дрогобыч, Украина
Поступила в редакцию: 19 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

Исследованы импульсные характеристики n+-p-переходов на основе Hg08Cd02Te. Показано, что при прохождении прямого (обратного) тока форма импульса напряжения на переходе определяется рекомбинацией (генерацией) неравновесных электронов в дырочной области. Увеличение импульса тока вызывает появление электрического поля, которое затягивает электроны в глубь базы, и, вследствие того, что n+-p-переход имеет сложную структуру, изменяется при этом их время жизни.
  1. Шевцов Э.А., Белкин М.Е. Фотоприемные устройства волоконно-оптических систем передачи. М.: Радио и связь, 1992. 222 с
  2. Белотелов С.В., Иванов-Омский В.И., Ижнин А.И., Смирнов В.А. // ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 6. С. 1058--1064
  3. Spears D.L. // Lasers and Electron. Conf. Proc. Arlando Fla. New York, 1989. P. 113--116
  4. Андрухив М.Г., Белотелов С.В., Вирт И.С. // ФТП. 1993. Т. 27. Вып. 11/12. С. 1863--1866
  5. Носов Ю.Р. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме. М.: Наука, 1968. 264 с
  6. Rogalski A., Piotrowski Y. // Prog. Quant. Electr. 1988. Vol. 12. N 2--3. P. 87--289

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.