Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
8
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
8
Анциферов В.В.
Институт ядерной физики СО РАН, Новосибирск, Россия
3
Эндер А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гриняев Ю.В.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3
Кальнин А.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Чертова Н.В.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев, Украина
3
Снарский А.А.
Национальный технический университет, Киев, Украина
3
Шуаибов А.К.
Ужгородский государственный университет, Ужгород, Украина
3
Рудый А.С.
Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия
3
Белоножко Д.Ф.
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
3
Романовский В.Р.
Российский научный центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3
Ходатаев К.В.
Московский радиотехнический институт РАН, Москва, Россия
2
Чеблуков Ю.Н.
Институт теоретической и экспериментальной физики, Москва, Россия
2
Дударев Ю.И.
Сухумский физико-технический институт АН Республики Абхазия, Сухуми, Абхазия
2
Эндер И.А.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Артемов А.С.
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Московская область, Россия
2
Ткачев А.Н.
Институт общей физики РАН, Москва, Россия
2
Спицын А.И.
Харьковский государственный технический университет радиоэлектроники, Харьков, Украина
2
Максимов М.З.
Сухумский физико-технический институт АН Республики Абхазия, Сухуми, Абхазия
2
Петров М.И.
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия
2
Кристя В.И.
Научно-исследовательский институт материалов электронной техники, Калуга, Россия
2
Яковленко С.И.
Институт общей физики РАН, Москва, Россия
2
Белошеев В.П.
Всероссийский научный центр "ГОИ им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург, Россия
2
Беляев А.А.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев, Украина
2
Анциферов П.С.
Институт спектроскопии РАН, Троицк, Московская область, Россия
2
Коромыслов В.А.
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
2
Овчинников С.Г.
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия
2
Девяткин Е.А.
Институт проблем механики РАН, Москва, Россия
2
Грибин С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яламов Ю.И.
Московский педагогический университет, Москва, Россия
2
Фролов А.Н.
Херсонский индустриальный институт, Херсон, Украина
2
Жигалов В.С.
Институт физики им. Л.В. Киренского, СО РАН, Красноярск, Россия
2
Судьенков Ю.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Кнатько М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шутов С.В.
Херсонский индустриальный институт, Херсон, Украина
2
Николаев А.Г.
Томская государственная академия систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
2
Ляпин В.Г.
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев, Украина
2
Островская Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Демин С.К.
Научно-исследовательский институт импульсной техники, Москва, Россия
2
Комаров Ф.Ф.
Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н.Севченко, Минск, Белоруссия
2
Иванов Э.В.
Санкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Палеев В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Окс Е.М.
Томская государственная академия систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
2
Сафронов С.И.
Научно-исследовательский институт импульсной техники, Москва, Россия
2
Мягков В.Г.
Институт физики им. Л.В. Киренского, СО РАН, Красноярск, Россия
2
Резник А.Н.
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия
2
Кайбичев И.А.
Институт радиотехники и электроники РАН, Москва, Россия
2
Лапушкин М.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
© 2018 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук