"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10238
Распределение статей по годам:
466
514
431
419
298
289
299
287
275
325
325
323
319
299
284
277
300
289
275
284
270
304
305
301
297
311
322
327
318
319
302
284

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1996 год:
Статья
Просмотров
Образование долгоживущих ассициированных структур жидкой воды во внешних силовых полях
16
О термодинамике
15
К теории фокусировки пучков заряженных частиц в двумерном электростатическом поле со средней плоскостью. III
14
Эволюция вторичной плазмы в ускоряющем промежутке плазменных источников электронов при повышенном давлении
13
Получение трехмерных изображений посредством безопорной селектограммы, записанной в толстослойной среде
13
Влияние адсорбции остаточных газов на эмиссионные свойства углеродных материалов
13
Численное моделирование процессов отражения кольцевой ударной волны от оси симметрии, твердой плоскости и плоского газового слоя
12
Перспективы повышения энергетических параметров излучения Cu лазера, возбуждаемого поперечным разрядом
12
Влияние состояния поверхности электрода и его материала на характеристики ВЧ разряда средних давлений
12
Параметрический резонанс при движении заряженной частицы в слабом низкочастотном магнитном поле
12
Вклад энергии доменных стенок в теплоту сегнетоэлектрического фазового перехода в кристаллах KH 2PO 4 и KD 2PO 4
12
Численный расчет скорости радиационной ползучести металлов с учетом рекомбинации
12
Расчет термомеханического соединения методами структурно-аналитической теории
12
Об одной интегральной абсорбционной оптически бистабильной схеме на основе полупроводниковых элементов
12
Высокоэффективная модуляция многокомпонентного лазерного излучения с произвольной поляризацией, управляемая акустической волной
12
Метрологический аспект использования ондуляторов с перестраиваемым фазовым состоянием
11
Возбуждение азимутальных поверхностных мод в цилиндрических полупроводниковых структурах при наличии дрейфового движения потока электронов
11
Нестационарность электронных волновых процессов в плазменном ускорителе
11
Расчет частоты ионизации в гелии при сильных однородных электрических полях
11
О влиянии параметров внешнего проводящего кожуха на разгон тел в электродинамическом ускорителе
11
Статья
Просмотров
О термодинамике
1615
Пондеромоторное взаимодействие двух постоянных магнитов цилиндрической формы
1518
Образование долгоживущих ассициированных структур жидкой воды во внешних силовых полях
1151
Исследование полиморфных превращений в оксиде алюминия I. Эксперимент
1136
Опыт применения сплавов с эффектом памяти формы при сооружении крупногабаритных конструкций в открытом космосе
1131
Искровой пробой воздуха наносекундными импульсами напряжения
1069
Оптические свойства и кристаллическая структура отожженных протонообменных световодов в LiNbO 3
1056
Некоторые возможные применения поршневой газодинамической установки для возбуждения коротковолновой лазерной генерации
1006
Поглощение метаном, нагретым ударной волной, излучения в окрестности 3.3 мкм
996
Численное моделирование и экспериментальное исследование течения конденсированной фазы в газожидкостных пенах
951
Об устойчивости капиллярных колебаний слабо сфероидальной заряженной капли
938
Протонообменные световоды в кристаллах танталата лития. I. Метод определения параметров кристаллической решетки ненапряженных твердых растворов H xLi 1- xTaO 3
931
Размерный эффект в тонком сегнетоэлектрическом слое II. Планарный конденсатор
928
ИК фотографическая система с большим динамическим диапазоном с использованием галогенидосеребряных фотоэмульсий
921
Феноменологическая модель материалов с эффектом памяти формы с двухкомпонентным параметром порядка
921
Влияние способа химической обработки на смачиваемость поверхности Si (111)
918
Модель конденсации по механизму пар--кристалл
917
Влияние объемного заряда на закономерности электрического разрушения полимеров
914
Предметный указатель
913
Эффект вращения поляризации оптического излучения при прохождении через кристаллизирующийся слой
913
Использование КАРС спектроскопии для исследования возбуждения и дезактивации колебаний молекул азота в сверхзвуковом потоке газа
913
Численное моделирование процессов отражения кольцевой ударной волны от оси симметрии, твердой плоскости и плоского газового слоя
911
Определение эффективности разрушения фреона в распадающейся плазме наносекундного СВЧ разряда
910
Динамика нагрева и испарения проводника импульсным током большой плотности
906
Структура материала и дифференциальные характеристики вторично-ионной и ионно-электронной эмиссии
904
О низкочастотном электрическом спектре порога возбуждения реологического взрыва с глубокими провалами
904
Вклад энергии доменных стенок в теплоту сегнетоэлектрического фазового перехода в кристаллах KH 2PO 4 и KD 2PO 4
904
Каналирование протонов средних энергий в монокристалле YBa 2Cu 3O 7-x
903
Хемосорбция серы на (100) Mo: рост поверхностного и объемного сульфидов, абсолютная калибровка, термодесорбция серы
903
Исследование физических процессов в плазменном ключевом элементе с крупноструктурной сеткой II. Импульсное гашение разряда
902
Коллинеарное акустооптическое взаимодействие в гиротропных волоконных световодах во внешнем электрическом поле
902
Возбуждение азимутальных поверхностных мод в цилиндрических полупроводниковых структурах при наличии дрейфового движения потока электронов
897
Влияние электрического поля на реконструкцию поверхности
896
Математическое моделирование мартенситной неупругости и эффектов памяти формы
895
Слой между плазмой и отрицательным электродом при наличии потоков заряженных частиц
894
Расчет термомеханического соединения методами структурно-аналитической теории
892
Влияние празеодима на динамику доменных стенок в пленках феррит-гранатов с ромбической магнитной анизотропией
890
Фрагментация фуллеренов и расчет параметров фуллерена C 60
888
Численный расчет скорости радиационной ползучести металлов с учетом рекомбинации
881
К теории фокусировки пучков заряженных частиц в двумерном электростатическом поле со средней плоскостью. I
880
Особенности электронно-стимулированных изменений края оптического поглощения аморфных пленок моноселенида и моносульфида германия
880
О сопротивлении пластическому сдвигу твердых тел при высокоскоростном деформировании
871
Изучение морфологии сварных стыковых швов труб из композиционного материала на основе полиэтилена
862
Исследование радиационно-оптических эффектов в тяжелых кристаллах
861
К теории фокусировки пучков заряженных частиц в двумерном электростатическом поле со средней плоскостью. II
860
Влияние адсорбции остаточных газов на эмиссионные свойства углеродных материалов
845
Механизмы заселения электронно-возбужденных состояний ArI и ArII в неравновесно-рекомбинирующей ударно нагретой струе
845
Сигнал свободной прецессии ядер в магнитном поле земли при круговом движении исследуемого образца
835
Оптоэлектронный ассоциативный полносвязанный коммутатор: принцип создания и возможность реализации
834
О предельных возможностях снижения сопротивления воды движению тел
830
Автор
Организация
Статей
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
7
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
6
Гликман Л.Г.
Институт ядерной физики АН Казахстана, Алма-Ата, Казахстан
4
Голоскоков Ю.В.
Институт ядерной физики АН Казахстана, Алма-Ата, Казахстан
4
Григорьев О.А.
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
4
Карецкая С.П.
Институт ядерной физики АН Казахстана, Алма-Ата, Казахстан
4
Мишин Г.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Липсон А.Г.
Институт физической химии РАН, Москва, Россия
3
Кулак Г.В.
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
3
Митичкин С.Ю.
Научно-исследовательский институт механики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Тестов В.Г.
Научно-исследовательский институт механики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Голубовский Ю.Б.
Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
3
Лихачев В.А.
Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт математики и механики им. В.И.Смирнова, Санкт-Петербург, Россия
3
Алексеев Н.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Каплан В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Марциновский А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Грачев Л.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Есаков И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коркишко Ю.Н.
Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Москва, Россия
3
Федоров В.А.
Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Москва, Россия
3
Британ А.Б.
Научно-исследовательский институт механики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Афросимов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бабаев В.П.
Институт теоретической и экспериментальной физики, Москва, Россия
2
Никулин М.Г.
Московский радиотехнический институт РАН, Москва, Россия
2
Комолов С.А.
Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики,, Санкт-Петербург, Россия
2
Бухман Н.С.
Мичуринская государственная сельскохозяйственная академия, Мичуринск, Россия
2
Курилко В.И.
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Кобяков В.П.
Институт структурной макрокинетики РАН, Черноголовка, Московская область, Россия
2
Голубев О.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гольдберг Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вендик О.Г.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Конторович Е.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Салаев Э.Ю.
Научно-исследовательский институт фотоэлектроники АН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Некучаев В.О.
Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
2
Козлов П.В.
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Научно-исследовательский институт механики, Москва, Россия
2
Елесин В.Ф.
Московский инженерно-физический институт, Москва, Россия
2
Тер-Мартиросян Л.Т.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Шредник В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пелюхова Е.Б.
Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
2
Половко Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Макаров С.В.
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
2
Шамбург К.
Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики,, Санкт-Петербург, Россия
2
Бакшт Ф.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тропп Э.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Новоселов Ю.Н.
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
2
Рутберг Ф.Г.
Институт проблем электрофизики РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляев С.П.
Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт математики и механики им. акад. В.И.Смирнова Санкт-Петербург, Россия
2
Расулов Ф.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Муничев М.И.
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
2
Максимов И.Л.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
40
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
7
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
7
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино, Московская область, Россия
5
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
4
Институт общей физики РАН, Москва, Россия
4
Институт ядерной физики АН Казахстана, Алма-Ата, Казахстан
4
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Московский инженерно-физический институт, Москва, Россия
3
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Институт физической химии РАН, Москва, Россия
3
Институт высокопроизводительных вычислительных систем РАН, Москва, Россия
3
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
3
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
3
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
2
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
2
Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. маршала Д.Ф.Устинова, Санкт-Петербург, Россия
2
Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Москва, Россия
2
Московский радиотехнический институт РАН, Москва, Россия
2
Львовский государственный университет, Львов, Украина
2
Научно-исследовательский институт механики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
2
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Институт проблем электрофизики РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
2
Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
2
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
2
Институт теплофизики СО РАН, Новосибирск, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Ставропольский государственный технический университет, Ставрополь, Россия
2
Технический университет, Вена, Австрия
2
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Научно-исследовательский институт механики, Москва, Россия
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Институт радиотехники и электроники РАН, Саратовский филиал, Саратов, Россия
2
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Институт теоретической и экспериментальной физики, Москва, Россия
2
Институт структурной макрокинетики РАН, Черноголовка, Московская область, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт математики и механики им. акад. В.И. Смирнова, Санкт-Петербург, Россия
2
Уральский государственный технический университет, Екатеринбург, Россия
2
Институт физики Земли им. О.Ю.Шмидта РАН, Москва, Россия
1
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина Национальной академии наук Украины, Донецк, Украина
1
Институт атомной энергии, Национальный ядерный центр РК, Алма-Атинское отделение, Алма-Ата, Казахстан
1
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев, Украина
1
Московский инженерно-физический институт (Технический университет), Москва, Россия
1
Институт почвоведения и фотосинтеза РАН, Пущино, Московская область, Россия
1

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme