"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10341
Распределение статей по годам:
466
514
431
419
298
289
299
287
275
325
325
323
319
299
284
277
300
289
275
284
270
304
305
301
297
311
322
327
318
319
302
310
77

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1996 год:
Статья
Просмотров
Нестационарность электронных волновых процессов в плазменном ускорителе
15
Оптимизация некоторых параметров пеннинговского ионного источника методом подвижного катода
14
Экспериментальные исследования рассеяния на жесткой сфере поля акустической параметрической антенны
14
Вклад энергии доменных стенок в теплоту сегнетоэлектрического фазового перехода в кристаллах KH 2PO 4 и KD 2PO 4
14
Влияние ионизационных процессов на ионную шланговую неустойчивость релятивистского электронного пучка в разреженном газе
14
Осаждение слоев SiO2 из газовых струй при активации реагентов электронным пучком
14
Исследование процессов в релаксационной зоне при ударном воздействии на газожидкостные пены
13
Зона несмешиваемости тройных твердых растворов соединений A3B5
13
Кинетическая модель структурной релаксации в оксидных стеклах
13
Микрошероховатые плоские автоэмиссионные катоды из графита, полученные радиационным способом
13
Исследование объемного разряда с убегающими электронами при граничных напряжениях
12
К вопросу об оптимальном управлении процессом аккумулирования тепла в одномерном пористом слое
12
Испарение галлия и индия в условиях Ленгмюра
12
О допплеровском механизме ограничения резонансного продольного электрического поля, возбуждаемого пучком электромагнитных волн на критической поверхности движущегося слоя плавнонеоднородной плазмы
12
Кинетические ионизационные волны в разряде в неоне
12
Параметрическое возбуждение акустических волн в полупроводниках с деформационной зависимостью диэлектрической проницаемости в поле электромагнитной волны
12
Синтез и сегнетоэлектрические свойства титанониобата сурьмы
12
Исследование физических процессов в плазменном ключевом элементе с крупноструктурной сеткой II. Импульсное гашение разряда
12
Влияние затухания ультразвуковых волн на акустооптическое взаимодействие в гиротропных кубических кристаллах
12
Коллинеарное акустооптическое взаимодействие в гиротропных волоконных световодах во внешнем электрическом поле
11
Статья
Просмотров
О термодинамике
1732
Пондеромоторное взаимодействие двух постоянных магнитов цилиндрической формы
1565
Образование долгоживущих ассициированных структур жидкой воды во внешних силовых полях
1241
Опыт применения сплавов с эффектом памяти формы при сооружении крупногабаритных конструкций в открытом космосе
1215
Исследование полиморфных превращений в оксиде алюминия I. Эксперимент
1198
Искровой пробой воздуха наносекундными импульсами напряжения
1139
Оптические свойства и кристаллическая структура отожженных протонообменных световодов в LiNbO 3
1118
Некоторые возможные применения поршневой газодинамической установки для возбуждения коротковолновой лазерной генерации
1067
Поглощение метаном, нагретым ударной волной, излучения в окрестности 3.3 мкм
1063
Численное моделирование и экспериментальное исследование течения конденсированной фазы в газожидкостных пенах
1011
Об устойчивости капиллярных колебаний слабо сфероидальной заряженной капли
1010
Динамика нагрева и испарения проводника импульсным током большой плотности
1001
Феноменологическая модель материалов с эффектом памяти формы с двухкомпонентным параметром порядка
991
Протонообменные световоды в кристаллах танталата лития. I. Метод определения параметров кристаллической решетки ненапряженных твердых растворов H xLi 1- xTaO 3
990
Структура материала и дифференциальные характеристики вторично-ионной и ионно-электронной эмиссии
989
Размерный эффект в тонком сегнетоэлектрическом слое II. Планарный конденсатор
987
Вклад энергии доменных стенок в теплоту сегнетоэлектрического фазового перехода в кристаллах KH 2PO 4 и KD 2PO 4
985
Численное моделирование процессов отражения кольцевой ударной волны от оси симметрии, твердой плоскости и плоского газового слоя
984
Исследование физических процессов в плазменном ключевом элементе с крупноструктурной сеткой II. Импульсное гашение разряда
981
Предметный указатель
980
Модель конденсации по механизму пар--кристалл
977
Эффект вращения поляризации оптического излучения при прохождении через кристаллизирующийся слой
975
Влияние объемного заряда на закономерности электрического разрушения полимеров
974
Использование КАРС спектроскопии для исследования возбуждения и дезактивации колебаний молекул азота в сверхзвуковом потоке газа
974
ИК фотографическая система с большим динамическим диапазоном с использованием галогенидосеребряных фотоэмульсий
973
Влияние способа химической обработки на смачиваемость поверхности Si (111)
971
Хемосорбция серы на (100) Mo: рост поверхностного и объемного сульфидов, абсолютная калибровка, термодесорбция серы
970
Каналирование протонов средних энергий в монокристалле YBa 2Cu 3O 7-x
969
Математическое моделирование мартенситной неупругости и эффектов памяти формы
964
О низкочастотном электрическом спектре порога возбуждения реологического взрыва с глубокими провалами
964
Определение эффективности разрушения фреона в распадающейся плазме наносекундного СВЧ разряда
962
Влияние электрического поля на реконструкцию поверхности
961
Коллинеарное акустооптическое взаимодействие в гиротропных волоконных световодах во внешнем электрическом поле
961
Слой между плазмой и отрицательным электродом при наличии потоков заряженных частиц
955
Фрагментация фуллеренов и расчет параметров фуллерена C 60
953
Расчет термомеханического соединения методами структурно-аналитической теории
952
Возбуждение азимутальных поверхностных мод в цилиндрических полупроводниковых структурах при наличии дрейфового движения потока электронов
950
Влияние празеодима на динамику доменных стенок в пленках феррит-гранатов с ромбической магнитной анизотропией
945
Численный расчет скорости радиационной ползучести металлов с учетом рекомбинации
944
К теории фокусировки пучков заряженных частиц в двумерном электростатическом поле со средней плоскостью. I
941
Особенности электронно-стимулированных изменений края оптического поглощения аморфных пленок моноселенида и моносульфида германия
939
Изучение морфологии сварных стыковых швов труб из композиционного материала на основе полиэтилена
926
Исследование радиационно-оптических эффектов в тяжелых кристаллах
925
О сопротивлении пластическому сдвигу твердых тел при высокоскоростном деформировании
924
К теории фокусировки пучков заряженных частиц в двумерном электростатическом поле со средней плоскостью. II
922
Влияние адсорбции остаточных газов на эмиссионные свойства углеродных материалов
905
Механизмы заселения электронно-возбужденных состояний ArI и ArII в неравновесно-рекомбинирующей ударно нагретой струе
903
Оптоэлектронный ассоциативный полносвязанный коммутатор: принцип создания и возможность реализации
897
Эффект гашения отраженного электромагнитного излучения полярными диэлектриками
897
Сигнал свободной прецессии ядер в магнитном поле земли при круговом движении исследуемого образца
890
Автор
Организация
Статей
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
7
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
6
Мишин Г.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Григорьев О.А.
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
4
Гликман Л.Г.
Институт ядерной физики АН Казахстана, Алма-Ата, Казахстан
4
Голоскоков Ю.В.
Институт ядерной физики АН Казахстана, Алма-Ата, Казахстан
4
Карецкая С.П.
Институт ядерной физики АН Казахстана, Алма-Ата, Казахстан
4
Федоров В.А.
Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Москва, Россия
3
Лихачев В.А.
Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт математики и механики им. В.И.Смирнова, Санкт-Петербург, Россия
3
Кулак Г.В.
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
3
Митичкин С.Ю.
Научно-исследовательский институт механики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Голубовский Ю.Б.
Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
3
Тестов В.Г.
Научно-исследовательский институт механики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Липсон А.Г.
Институт физической химии РАН, Москва, Россия
3
Алексеев Н.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Каплан В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Марциновский А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Грачев Л.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Есаков И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коркишко Ю.Н.
Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Москва, Россия
3
Суворов А.Л.
Институт теоретической и экспериментальной физики, Москва, Россия
2
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дорожкин А.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Жуйков В.А.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2
Шешин Е.П.
Институт теоретической и экспериментальной физики, Москва, Россия
2
Котов В.М.
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино, Московская область, Россия
2
Кузнецов А.В.
Технический университет, Вена, Австрия
2
Зырянов В.Я.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2
Филимонов А.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Сморгон С.Л.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2
Шабанов В.Ф.
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2
Британ А.Б.
Научно-исследовательский институт механики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Рандошкин В.В.
Совместная хозрасчетная лаборатория ''Магнитооптоэлектроника'' Института общей физики РАН при Мордовском государственном университете им. Н.П.Огарева, Саранск, Россия
2
Бабаев В.П.
Институт теоретической и экспериментальной физики, Москва, Россия
2
Мартенс В.Я.
Ставропольский государственный технический университет, Ставрополь, Россия
2
Комолов С.А.
Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики,, Санкт-Петербург, Россия
2
Бухман Н.С.
Мичуринская государственная сельскохозяйственная академия, Мичуринск, Россия
2
Кобяков В.П.
Институт структурной макрокинетики РАН, Черноголовка, Московская область, Россия
2
Никулин М.Г.
Московский радиотехнический институт РАН, Москва, Россия
2
Гурин Н.Т.
Ульяновский филиал Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова Ульяновск, Россия
2
Бакшт Ф.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Торчигин В.П.
Институт высокопроизводительных вычислительных систем РАН, Москва, Россия
2
Беляев С.П.
Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт математики и механики им. акад. В.И.Смирнова Санкт-Петербург, Россия
2
Кузнецов В.А.
Институт физической химии РАН, Москва, Россия
2
Гольдберг Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Максимов И.Л.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Некучаев В.О.
Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
2
Козлов П.В.
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Научно-исследовательский институт механики, Москва, Россия
2
Свирина Ю.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Афросимов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
40
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
7
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
7
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино, Московская область, Россия
5
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
4
Институт общей физики РАН, Москва, Россия
4
Институт ядерной физики АН Казахстана, Алма-Ата, Казахстан
4
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Московский инженерно-физический институт, Москва, Россия
3
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Институт физической химии РАН, Москва, Россия
3
Институт высокопроизводительных вычислительных систем РАН, Москва, Россия
3
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
3
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
3
Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
2
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
2
Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. маршала Д.Ф.Устинова, Санкт-Петербург, Россия
2
Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Москва, Россия
2
Московский радиотехнический институт РАН, Москва, Россия
2
Львовский государственный университет, Львов, Украина
2
Научно-исследовательский институт механики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
2
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Институт проблем электрофизики РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
2
Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
2
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
2
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Ставропольский государственный технический университет, Ставрополь, Россия
2
Технический университет, Вена, Австрия
2
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Научно-исследовательский институт механики, Москва, Россия
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Институт радиотехники и электроники РАН, Саратовский филиал, Саратов, Россия
2
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Институт теоретической и экспериментальной физики, Москва, Россия
2
Институт структурной макрокинетики РАН, Черноголовка, Московская область, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт математики и механики им. акад. В.И. Смирнова, Санкт-Петербург, Россия
2
Уральский государственный технический университет, Екатеринбург, Россия
2
Институт физики Земли им. О.Ю.Шмидта РАН, Москва, Россия
1
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина Национальной академии наук Украины, Донецк, Украина
1
Институт атомной энергии, Национальный ядерный центр РК, Алма-Атинское отделение, Алма-Ата, Казахстан
1
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев, Украина
1
Московский инженерно-физический институт (Технический университет), Москва, Россия
1

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme