"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10108
Распределение статей по годам:
466
514
431
419
298
289
299
287
275
325
325
323
319
299
284
277
300
289
275
284
270
304
305
301
297
311
322
327
318
319
302
154

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1996 год:
Статья
Просмотров
Об устойчивости капиллярных колебаний слабо сфероидальной заряженной капли
26
Коллинеарное акустооптическое взаимодействие в гиротропных волоконных световодах во внешнем электрическом поле
25
Исследование полиморфных превращений в оксиде алюминия I. Эксперимент
24
Образование долгоживущих ассициированных структур жидкой воды во внешних силовых полях
23
О стримерном пробое воздуха в однородном электрическом поле
22
Численное моделирование и экспериментальное исследование течения конденсированной фазы в газожидкостных пенах
22
Использование интерферометров на основе отражательных голограмм для определения остаточных напряжений методом зондирующего отверстия
20
Получение трехмерных изображений посредством безопорной селектограммы, записанной в толстослойной среде
18
Влияние адсорбции остаточных газов на эмиссионные свойства углеродных материалов
18
Диффузный этап развития безэлектродного СВЧ разряда в воздухе среднего давления
18
Диссипативные неустойчивости разрушения в проводящих материалах с транспортным током I. Критерии неустойчивости, качественный анализ
18
О термодинамике
17
Оптические свойства и кристаллическая структура отожженных протонообменных световодов в LiNbO 3
17
Волны заряда в ионизованном газе перед гиперзвуковым телом
17
Определение эффективности разрушения фреона в распадающейся плазме наносекундного СВЧ разряда
17
Влияние электрического поля на реконструкцию поверхности
17
Опыт применения сплавов с эффектом памяти формы при сооружении крупногабаритных конструкций в открытом космосе
16
О восстановлении функции распределения микрокристаллов сульфидоселенида кадмия по данным электронной микроскопии
16
Оптимизация периферийной части планарных p-n-переходов в мощных высоковольтных полупроводниковых структурах
16
Микрошероховатые плоские автоэмиссионные катоды из графита, полученные радиационным способом
16
Статья
Просмотров
Пондеромоторное взаимодействие двух постоянных магнитов цилиндрической формы
1422
О термодинамике
1419
Опыт применения сплавов с эффектом памяти формы при сооружении крупногабаритных конструкций в открытом космосе
996
Образование долгоживущих ассициированных структур жидкой воды во внешних силовых полях
996
Исследование полиморфных превращений в оксиде алюминия I. Эксперимент
991
Искровой пробой воздуха наносекундными импульсами напряжения
966
Оптические свойства и кристаллическая структура отожженных протонообменных световодов в LiNbO 3
933
Поглощение метаном, нагретым ударной волной, излучения в окрестности 3.3 мкм
884
Некоторые возможные применения поршневой газодинамической установки для возбуждения коротковолновой лазерной генерации
883
Численное моделирование и экспериментальное исследование течения конденсированной фазы в газожидкостных пенах
847
Влияние способа химической обработки на смачиваемость поверхности Si (111)
832
Размерный эффект в тонком сегнетоэлектрическом слое II. Планарный конденсатор
827
Структура материала и дифференциальные характеристики вторично-ионной и ионно-электронной эмиссии
817
Эффект вращения поляризации оптического излучения при прохождении через кристаллизирующийся слой
815
Модель конденсации по механизму пар--кристалл
814
ИК фотографическая система с большим динамическим диапазоном с использованием галогенидосеребряных фотоэмульсий
811
Предметный указатель
809
Протонообменные световоды в кристаллах танталата лития. I. Метод определения параметров кристаллической решетки ненапряженных твердых растворов H xLi 1- xTaO 3
809
Феноменологическая модель материалов с эффектом памяти формы с двухкомпонентным параметром порядка
805
Об устойчивости капиллярных колебаний слабо сфероидальной заряженной капли
804
Слой между плазмой и отрицательным электродом при наличии потоков заряженных частиц
800
Хемосорбция серы на (100) Mo: рост поверхностного и объемного сульфидов, абсолютная калибровка, термодесорбция серы
799
Коллинеарное акустооптическое взаимодействие в гиротропных волоконных световодах во внешнем электрическом поле
797
Влияние объемного заряда на закономерности электрического разрушения полимеров
796
К теории фокусировки пучков заряженных частиц в двумерном электростатическом поле со средней плоскостью. I
793
Особенности электронно-стимулированных изменений края оптического поглощения аморфных пленок моноселенида и моносульфида германия
793
Динамика нагрева и испарения проводника импульсным током большой плотности
792
Определение эффективности разрушения фреона в распадающейся плазме наносекундного СВЧ разряда
791
Каналирование протонов средних энергий в монокристалле YBa 2Cu 3O 7-x
790
О низкочастотном электрическом спектре порога возбуждения реологического взрыва с глубокими провалами
786
Численное моделирование процессов отражения кольцевой ударной волны от оси симметрии, твердой плоскости и плоского газового слоя
782
Возбуждение азимутальных поверхностных мод в цилиндрических полупроводниковых структурах при наличии дрейфового движения потока электронов
782
Использование КАРС спектроскопии для исследования возбуждения и дезактивации колебаний молекул азота в сверхзвуковом потоке газа
779
Исследование физических процессов в плазменном ключевом элементе с крупноструктурной сеткой II. Импульсное гашение разряда
776
Расчет термомеханического соединения методами структурно-аналитической теории
775
Влияние празеодима на динамику доменных стенок в пленках феррит-гранатов с ромбической магнитной анизотропией
775
О сопротивлении пластическому сдвигу твердых тел при высокоскоростном деформировании
769
Математическое моделирование мартенситной неупругости и эффектов памяти формы
769
Фрагментация фуллеренов и расчет параметров фуллерена C 60
767
Вклад энергии доменных стенок в теплоту сегнетоэлектрического фазового перехода в кристаллах KH 2PO 4 и KD 2PO 4
766
К теории фокусировки пучков заряженных частиц в двумерном электростатическом поле со средней плоскостью. II
763
Изучение морфологии сварных стыковых швов труб из композиционного материала на основе полиэтилена
761
Влияние электрического поля на реконструкцию поверхности
760
Численный расчет скорости радиационной ползучести металлов с учетом рекомбинации
755
Механизмы заселения электронно-возбужденных состояний ArI и ArII в неравновесно-рекомбинирующей ударно нагретой струе
743
Сигнал свободной прецессии ядер в магнитном поле земли при круговом движении исследуемого образца
741
О предельных возможностях снижения сопротивления воды движению тел
731
Шкала серости при термоконтактной записи информации в капсулированных полимером холестерических жидких кристаллах
731
Ориентационный сдвиг линии магнитного резонанса при спиновом обмене щелочных атомов
731
Исследование радиационно-оптических эффектов в тяжелых кристаллах
730
Автор
Организация
Статей
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
7
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
6
Гликман Л.Г.
Институт ядерной физики АН Казахстана, Алма-Ата, Казахстан
4
Голоскоков Ю.В.
Институт ядерной физики АН Казахстана, Алма-Ата, Казахстан
4
Мишин Г.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Карецкая С.П.
Институт ядерной физики АН Казахстана, Алма-Ата, Казахстан
4
Григорьев О.А.
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
4
Лихачев В.А.
Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт математики и механики им. В.И.Смирнова, Санкт-Петербург, Россия
3
Федоров В.А.
Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Москва, Россия
3
Марциновский А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Липсон А.Г.
Институт физической химии РАН, Москва, Россия
3
Грачев Л.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Есаков И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кулак Г.В.
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
3
Митичкин С.Ю.
Научно-исследовательский институт механики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Голубовский Ю.Б.
Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
3
Тестов В.Г.
Научно-исследовательский институт механики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Алексеев Н.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коркишко Ю.Н.
Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Москва, Россия
3
Каплан В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Дорожкин А.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Котов В.М.
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино, Московская область, Россия
2
Афросимов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Филимонов А.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Курилко В.И.
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Шпунт В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бакшт Ф.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Голубев О.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляев С.П.
Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт математики и механики им. акад. В.И.Смирнова Санкт-Петербург, Россия
2
Расулов Ф.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вендик О.Г.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Суворов А.Л.
Институт теоретической и экспериментальной физики, Москва, Россия
2
Максимов И.Л.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Конторович Е.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Салаев Э.Ю.
Научно-исследовательский институт фотоэлектроники АН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Британ А.Б.
Научно-исследовательский институт механики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тер-Мартиросян Л.Т.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Шешин Е.П.
Институт теоретической и экспериментальной физики, Москва, Россия
2
Свирина Ю.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Шредник В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузнецов А.В.
Технический университет, Вена, Австрия
2
Никулин М.Г.
Московский радиотехнический институт РАН, Москва, Россия
2
Гольдберг Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Некучаев В.О.
Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
2
Пелюхова Е.Б.
Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
2
Половко Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бабаев В.П.
Институт теоретической и экспериментальной физики, Москва, Россия
2
Елесин В.Ф.
Московский инженерно-физический институт, Москва, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
40
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
7
Ярославский государственный университет, Ярославль, Россия
7
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
6
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино, Московская область, Россия
5
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
4
Институт общей физики РАН, Москва, Россия
4
Институт ядерной физики АН Казахстана, Алма-Ата, Казахстан
4
Московский инженерно-физический институт, Москва, Россия
3
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Институт физической химии РАН, Москва, Россия
3
Институт высокопроизводительных вычислительных систем РАН, Москва, Россия
3
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
3
Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
3
Институт высоких температур РАН, Москва, Россия
2
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
2
Балтийский государственный технический университет им. Д.Ф. Устинова, Санкт-Петербург, Россия
2
Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Москва, Россия
2
Московский радиотехнический институт РАН, Москва, Россия
2
Львовский государственный университет, Львов, Украина
2
Научно-исследовательский институт механики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Институт физики АН Украины, Киев, Украина
2
Институт проблем электрофизики РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
2
Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
2
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
2
Институт теплофизики СО РАН, Новосибирск, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Ставропольский государственный технический университет, Ставрополь, Россия
2
Технический университет, Вена, Австрия
2
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Научно-исследовательский институт механики, Москва, Россия
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Институт радиотехники и электроники РАН, Саратовский филиал, Саратов, Россия
2
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Институт теоретической и экспериментальной физики, Москва, Россия
2
Институт структурной макрокинетики РАН, Черноголовка, Московская область, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт математики и механики им. акад. В.И. Смирнова, Санкт-Петербург, Россия
2
Уральский государственный технический университет, Екатеринбург, Россия
2
Институт физики Земли им. О.Ю.Шмидта РАН, Москва, Россия
1
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина Национальной академии наук Украины, Донецк, Украина
1
Институт атомной энергии, Национальный ядерный центр РК, Алма-Атинское отделение, Алма-Ата, Казахстан
1
Институт физики полупроводников АН Украины, Киев, Украина
1
Московский инженерно-физический институт (Технический университет), Москва, Россия
1
Институт почвоведения и фотосинтеза РАН, Пущино, Московская область, Россия
1
Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "ГОИ им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург, Россия
1
Санкт-Петербугрский государственный университет, Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
1

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme