Журнал технической физики
Электронная почта:
tp@journals.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Журнал технической физики
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Рубрикатор
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Журнал технической физики
»
Год 1995, выпуск 9
<<<
>>>
Журнал технической физики, 1995, том 65, выпуск 9
Зандберг Э.Я.
Поверхностно-ионизационное детектирование частиц (О б з о р)
1
Ширяева С.О., Григорьев А.И., Григорьева И.Д.
Характерное время развития неустойчивости сильно заряженной капли
39
Ширяева С.О., Григорьев А.И.
О некоторых закономерностях электродиспергирования жидкости
46
Демидов Б.А., Ивкин М.В., Ивонин И.А., Петров В.А.
Исследование поведения полимерных материалов с помощью релятивистского электронного пучка в условиях быстрого объемного энерговыделения
56
Рыбин Д.С., Ладьянов В.И., Шудегов В.Е.
Моделирование структурной релаксации и магнитных свойств аморфных сплавов
65
Епихин В.М.
Расчет спектральных параметров акустооптического фильтра на одноосном гиротропном кристалле
71
Розуван С.Г., Тихонов Е.А.
Об эффективности отражения света реальным интерферометром Саньяка как распределенным зеркалом
76
Зимняков Д.А., Мишин А.А.
Влияние фокусирующих свойств фазовых неоднородностей крупномасштабных рассеивателей на статистику формируемых спекл-структур
85
Шматов М.Л.
Повышение продольной однородности активной среды коротковолнового лазера с рекомбинационной накачкой при помощи легирования
97
Свиташев К.К., Швец В.А., Мардежов А.С., Дворецкий С.А., Сидоров Ю.Г., Варавин В.С.
Эллипсометрия in situ при выращивании пленок твердых растворов кадмий--ртуть--теллур методом МЛЭ
110
Иванов-Омский В.И., Криворотов И.Н., Ястребов С.Г.
Алмазоподобный гидрогенизированный углерод, легированный медью: спектральная интерферометрия
121
Ермолов В.А.
Влияние внешнего подмагничивающего поля на формирование долговременной акустической памяти в магнитострикционном поликристаллическом феррите
136
Комиссарова И.И., Островская Г.В., Филиппов В.Н., Шедова Е.Н.
Исследование процесса фокусировки акустических волн в жидкости, инициируемых излучением рубинового лазера
143
Зильберман П.Е., Шеин И.В.
Порог двухволнового распада поверхностной магнитостатической волны в касательно намагниченной кубически анизотропной ферритовой пленке в дипольном приближении
152
Мамутин В.В.
Возможности управления механизмами роста ВТСП пленок молекулярно-пучковой эпитаксией
161
Волков А.Ю., Буш А.А.
Управляемое текстурирование ВТСП материалов: технология, свойства и применение для защиты контактов сверхпроводящих устройств
171
Волков А.В., Волотовский С.Г., Гранчак В.М., Казанский Н.Л., Моисеев О.Ю., Сойфер В.А., Соловьев В.С., Якуненкова Д.М.
Экспериментальное исследование массопереноса в жидких фотополимеризующихся композициях
181
Иванов-Омский В.И., Фролова Г.С.
Активирование рамановских частот в ИК поглощении гидрогенизированного аморфного углерода медью
186
Лозовский В.Н., Константинова Г.С., Лозовский С.В.
Захват жидких микровключений на поверхности кристалла кремния движущимися дефектами упаковки
190
Кашерининов П.Г., Кичаев А.В., Ярошецкий И.Д.
Фотоэлектрические явления в структурах с границей раздела полупроводник--тонкий слой диэлектрика на высокоомных компенсированных кристаллах
193
Бережнов В.В., Семенов В.А.
О влиянии поверхностной проводимости на равновесие шара в электрическом поле
197
Комаров А.Ф., Комаров А.А., Тарковский П.
Ионно-ассистируемое осаждение слоев на металлах
201
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук