Вышедшие номера
Возможности управления механизмами роста ВТСП пленок молекулярно-пучковой эпитаксией
Мамутин В.В.1
1Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

Проведен анализ различных моделей роста молекулярно-пучковой эпитаксией (МПЭ) применительно к получению ВТСП пленок. Выяснены основные критерии управления механизмами роста и определяющее влияние скоростей роста на кристаллическое совершенство пленок и показано, что не существует независимой от скоростей роста температуры эпитаксии. Подтверждено из сравнения с различными теоретическими моделями и экспериментальными данными, что при выращивании МПЭ методом соиспарения со скоростями роста в диапазоне 0.01-0.1 Angstrem/с при 400 oC в наших условиях осуществляется двумерный механизм роста (layer-by-layer) и исключен терхмерный (multilayer) механизм. Проведенный анализ и оценки позволяют управлять механизмами роста и делать выбор оптимальных условий роста МПЭ для получения кристаллически совершенных ВТСП пленок при экстремально низких температурах (400 oC и ниже).
  1. Bednorz J.G., Muller K.A Z. Phys. B. 1986. Vol. 64. P. 189
  2. Mukaida M., Miyazawa S., Sasaura M., Kuroda K. Jap. J. Appl. Phys. 1990. Vol. 29. N 6. P. L936--L939
  3. Tsukada I., Uchinokura K. Jap. J. Appl. Phys. 1991. Vol. 30. N 8B. P. L1468--L1470
  4. Nakamura O., Fullerton E.E., Guimpel J. et al. Appl. Phys. Lett. 1992. Vol. 60. N 1. P. 120--122
  5. Nonaka H., Shimizu T., Arai K. Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 57. N 26. P. 2850--2852
  6. Johnson B.R., Beauchamp K.M., Wang T. et al. Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 56. N 19. P. 1911--1913
  7. Sawa A., Obara H., Kosaka S. Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. N 5. P. 649--651
  8. Ekstein J.N., Bozovic I., Schlom D.G., Harris J.S., jr. Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 57. N 10. P. 1049--1051
  9. Schuhl A., Cabanel R., Lequien S. et al. Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 57. N 8. P. 819--821
  10. Locquet J.-P., Catana A., Machler E., Bednorz J.B. Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. N 3. P. 372--374
  11. Lagally Max G. Physics Today. 1993. Vol. 46. N 11. P. 24--31
  12. Mukaida M., Miyazawa S., Sasaura M. Jap. J. Appl. Phys. 1991. Vol. 30. N 8B. P. L1474--1476
  13. Irisawa T., Arima Y., Kuroda T. J. Cr. Growth. 1990. Vol. 99. P. 491--495
  14. Marmorkos I.K., Das Sarma S. Surf. Sci. Lett. 1990. Vol. 237. P. L411--L416
  15. Nishinaga T., Shitara T., Mochizuki K., Cho K.I. J. Cr. Growth. 1990. Vol. 99. P. 482--490
  16. Das Sarma S. J. Vac. Sci. Technol. 1990. Vol. A8. N 3. P. 2714--2726
  17. Luzeau P., Xu X.Z., Lagues M. et al. J. Vac. Sci. Techn. 1990. Vol. A8. N 6. P. 3938--3944
  18. Kita R., Hase T., Itti R. et al. Appl. Phys. Lett. 1992. Vol. 60. N 21. P. 2684--2687
  19. Мамутин В.В., Копьев П.С., Картенко Н.Ф. и др. СФХТ. 1993. Т. 6. N 4. С. 797--806
  20. Мамутин В.В., Картенко Н.Ф., Голощапов С.И. Письма в ЖТФ, 1993. Т. 6. Вып. 5. С. 48--52
  21. Mamutin V.V., Kartenko N.F., Goloschapov S.I. et al. Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. N 15. P. 2031--2033
  22. Stoyanov S. and Michailov M. Surf. Sci. 1988. Vol. 202. P. 109--124
  23. Ernst H.-J., Fabre F., Folkerts R., Lapujoulade J. Phys. Rev. Lett. 1994. Vol. 72. N 1. P. 112--115
  24. Johnson M.D., Orme C., Hunt A.W. et al. Phys. Rev. Lett. 1994. Vol. 72. P. 116--118
  25. Schowobel R.L. J. Appl. Phys. 1969. Vol. 44. P. 614
  26. Ehrlich G., Wang S.-C. Phys. Rev. Lett. 1991. Vol. 67. P. 2509--2512
  27. Kunkel R., Poelsema B., Verheij L.K., Comsa G. Phys. Rev. Lett. 1990. Vol. 65. N 6. P. 733--736
  28. Zhang Z., Lagally Max G. Phys. Rev. Lett. 1994. Vol. 72. N 5. P. 693--696
  29. Tersoff J., Denier A.W., Van der Gon, Treomp R.M. Phys. Rev. Lett. 1994. Vol. 72. N 2. P. 266--269
  30. Esch S., Hohage M., Michely T., Comsa G. Phys. Rev. Lett. 1994. Vol. 72. N 4. P. 518--522
  31. Teshima H., Shimada H., Imafuku M., Tanaka K. Physica C. 1993. Vol. 206. P. 103--109
  32. Norimoto K., Sekine R., Mori M. et al. Appl. Phys. Lett. 1992. Vol. 61. N 16. P. 1971--1973
  33. Nonaka H., Shimizu T., Arai K. Physica C. 1993. Vol. 217. P. 280--286
  34. Streiffer S.K., Lairson B.M., Eom C.B. et al. Phys. Rev. B. 1991. Vol. 43. P. 13007
  35. Shimizu T., Hirayama F., Oka K. et al. Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. N 10. P. 1289--1291
  36. Troger L., Fork D.K., Boyce J.B. J. Appl. Phys. 1992. Vol. 72. N 10. P. 4816--4819
  37. Wu S., Ng K.-W., Robertson J.D., Jacob R.J. J. Appl. Phys. 1992. Vol. 72. N 11. P. 5337--5340
  38. Chandrasekhar N., Agrawal V., Achutharaman V.S., Goldman A.M. Physica C. Vol. 205. N 1, 2. P. 161--169
  39. Chandrasekhar N., Achutharaman V.S., Agrawal V., Goldman A.M. Phys. Rev. B. 1992. Vol. 46. N 13. P. 8565--8572
  40. Terashima T., Iijima K., Yamamoto K. et al. Jap. J. Appl. Phys. 1989. Vol. 28. N 6. P. L987--L990

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.