Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоэлектрические явления в структурах с границей раздела полупроводник--тонкий слой диэлектрика на высокоомных компенсированных кристаллах
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 15 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.
- Кашерининов П.Г., Кичаев А.В., Ярошецкий И.Д. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 17. С. 48--53
- Аркадьева Е.Н., Матвеев О.А., Маслова Л.В. и др. ДАН СССР. 1975. Т. 221. С. 77
- Agrinskaya N.V., Arkadeva E.N. Phys. Stat. Sol. (b). 1987. Vol. 143. P. K103--K105
- Кашерининов П.Г., Кичаев А.В., Томасов А.А., Ярошецкий И.Д. Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. Вып. 18. С. 16
- Кашерининов П.Г., Кичаев А.В., Перепелицын Ю.Н. и др. / Препринт ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. N 1569. С.-Пб., 1991. 58 с
- Green M.A., Shewchun J. Sol. St. Electron. 1974. Vol. 17. P. 349--365
- Green M.A., Temple V.A.K., Shewchun J. Sol. St. Electron. 1975. Vol. 18. P. 745
- Малахов Б.А., Покалякин В.М., Степанов Г.В. Микроэлектроника. 1980. Вып. 9. С. 132
- Вуль А.Я., Федорова В.И., Бирюлин Ю.Ф. и др. ФТП. 1981. Т. 15. С. 525
- Вуль А.Я., Козырев С.В., Федоров В.И. ФТП. 1981. Т. 15. С. 142
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
