Slipchenko S. O.1, Shamakhov V. V.1, Kondratov M. I.1, Fomin E. V.1, Nikolaev D. N.1, Myasoedov A. V.1, Bert N. A.1, Pikhtin N. A.1
1Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia
Email: serghpl@mail.ioffe.ru, Shamakhov@mail.ioffe.ru, Mikondratov@mail.ioffe.ru, Evfomin@mail.ioffe.ru, Dim@mail.ioffe.ru, A.V.Myasoedov@mail.ioffe.ru, Nikolay.Bert@mail.ioffe.ru, Nike@hpld.ioffe.ru
GaAs buffer layers with thicknesses ranging from 1 to 5.3 μm were grown on Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition. It is shown that the threading dislocations density decreases to 4· 107 cm-2 with an increase in the GaAs buffer layer thickness up to 5.3 μm. The root mean square surface roughness reaches its minimum value of 2.2 nm at a GaAs buffer layer thickness of 1.6 μm. Keywords: metal-organic chemical vapor deposition, buffer layers, silicon substrate.
- J.C. Norman, D. Jung, Y. Wan, J.E. Bowers, APL Photon., 3 (3), 030901 (2018). DOI: 10.1063/1.5021345
- J. Yang, M. Tang, S. Chen, H. Liu, Light Sci. Appl., 12 (1), 16 (2023). DOI: 10.1038/s41377-022-01006-0
- Y. Han, H. Park, J. Bowers, K.M. Lau, Adv. Opt. Photon., 14 (3), 404 (2022). DOI: 10.1364/AOP.455976
- S.O. Slipchenko, D.A. Veselov, V.V. Zolotarev, A.V. Lyutetskii, A.A. Podoskin, Z.N. Sokolova, V.V. Shamakhov, I.S. Shashkin, P.S. Kop'ev, N.A. Pikhtin, Bull. Lebedev Phys. Inst., 50 (4), 494 (2023). DOI: 10.3103/S1068335623160108
- N.A. Volkov, A.Yu. Andreev, I.V. Yarotskaya, Yu.L. Ryaboshtan, V.N. Svetogorov, M.A. Ladugin, A.A. Padalitsa, A.A. Marmalyuk, S.O. Slipchenko, A.V. Lyutetskii, D.A. Veselov, N.A. Pikhtin, Quantum Electron., 51 (2), 133 (2021). DOI: 10.1070/QEL17480
- J.-S. Park, H. Deng, S. Pan, H. Wang, Y. Wang, J. Yuan, X. Zhang, H. Zeng, H. Jia, M. Dang, J. Phys. D, 58 (18), 185101 (2025). DOI: 10.1088/1361-6463/adc275
- A.Y. Liu, J. Bowers, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 24 (6), 6000412 (2018). DOI: 10.1109/JSTQE.2018.2854542
- C. Shang, Y. Wan, J. Selvidge, E. Hughes, R. Herrick, K. Mukherjee, J. Duan, F. Grillot, W.W. Chow, J.E. Bowers, ACS Photon., 8 (9), 2555 (2021). DOI: 10.1021/acsphotonics.1c00707
- Y. Du, B. Xu, G. Wang, Y. Miao, B. Li, Z. Kong, Y. Dong, W. Wang, H.H. Radamson, Nanomaterials, 12 (5), 741 (2022). DOI: 10.3390/nano12050741
- J. Yang, Z. Liu, P. Jurczak, M. Tang, K. Li, S. Pan, A. Sanchez, R. Beanland, J.-C. Zhang, H. Wang, J. Phys. D, 54 (3), 035103 (2021). DOI: 10.1088/1361-6463/abbb49
- J. Yang, P. Jurczak, F. Cui, K. Li, M. Tang, L. Billiald, R. Beanland, A.M. Sanchez, H. Liu, J. Cryst. Growth, 514, 109 (2019). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.044
- K. Ishida, MRS Online Proc. Library, 91, 133 (1987). DOI: 10.1557/PROC-91-133
- Y. Wang, Q. Wang, Z. Jia, X. Li, C. Deng, X. Ren, S. Cai, Y. Huang, J. Vac. Sci. Technol. B, 31 (5), 051211 (2013). DOI: 10.1116/1.4820914
- D. Jung, P.G. Callahan, B. Shin, K. Mukherjee, A.C. Gossard, J.E. Bowers, J. Appl. Phys., 122 (22), 225703 (2017). DOI: 10.1063/1.5001360
- C. Shang, J. Selvidge, E. Hughes, J.C. Norman, A.A. Taylor, A.C. Gossard, K. Mukherjee, J.E. Bowers, Phys. Status Solidi A, 218 (3), 2000402 (2020). DOI: 10.1002/pssa.202000402
- M. Tang, S. Chen, J. Wu, Q. Jiang, V.G. Dorogan, M. Benamara, Y.I. Mazur, G.J. Salamo, A. Seeds, H. Liu, Opt. Express, 22 (10), 11528 (2014). DOI: 10.1364/OE.22.011528
- M. Tang, S. Chen, J. Wu, Q. Jiang, K. Kennedy, P. Jurczak, M.Y. Liao, R. Beanland, A. Seeds, H.Y. Liu, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 22 (6), 50 (2016). DOI: 10.1109/JSTQE.2016.2551941
- M. Dang, H. Deng, S. Huo, R.R. Juluri, A.M. Sanchez, A.J. Seeds, H. Liu, M. Tang, J. Phys. D, 56 (40), 405108 (2023). DOI: 10.1088/1361-6463/ace36d
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.