Technical Physics Letters
To authors
Volumes and Issues
- 2023
- 2022
Study of Ga_2O3 deposition by MOVPE from trimethylgallium and oxygen in a wide temperature range
Study of Ga2O3 deposition by MOVPE using trimethylgallium and oxygen was performed in a wide temperature range. It was found that for Ga2O3 deposition rate vs temperature dependence is very close to the TMGa pyrolysis in nitrogen. Kinetically-limited range for these processes corresponds to 550-700oC, that is 150oC higher, then for GaN deposition in the same reactor. Keywords: gallium oxide, MOVPE
- S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov, Rev. Adv. Mater. Sci., 44, 63 (2016). https://www.ipme.ru/e-journals/ RAMS/no_14416/06_14416_stepanov.pdf
- S.J. Pearton, J. Yang, P.H. Cary, F. Ren, J. Kim, M.J. Tadjer, M.A. Mastro, Appl. Phys. Rev., 5, 011301 (2018). DOI: 10.1063/1.5006941
- Yu.A. Alexandrov, N.N. Vyshinskii, V.N. Kokorev, V.A. Alferov, N.V. Chikinova, G.I. Makin, J. Organomet. Chem., 332, 259 (1987). DOI: 10.1016/0022-328X(87)85093-3
- S. Yamashita, K. Watanuki, H. Ishii, Y. Shiba, M. Kitano, Y. Shirai, Sh. Sugawa, T. Ohmi, J. Electrochem. Soc., 158, H93 (2011). DOI: 10.1149/1.3517080
- M.V. Bogdanov, A.V. Lobanova, R.A. Talalaev, A. Galyukov, F. Alema, B. Hertog, A. Osinsky, in: ACGCE-21/OMVPE-18 Conf. (Santa Fe, New Mexico, USA, 2017), submission N 471
- A. Masunov, E. Wait, S.S. Vasu, J. Phys. Chem. A, 121, 5681 (2017). DOI: 10.1021/acs.jpca.7b04897
- H.-T. Lam, J.M. Vohs, Surf. Sci., 426, 199 (1999). DOI: 0.1016/S0039-6028(99)00291-5
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.