Рассмотрена концепция развития технологии RFTES из области субтерагерцовых частот 550-750 GHz в область телекоммуникационных частот 6-8 GHz, основанная на применении схемотехнических решений балансного типа, что позволяет изолировать источник сигнала от воздействия источника накачки RFTES-детектора путем подачи сигнала и накачку на детектор в виде двух ортогональных электромагнитных мод. Предложена и разработана новая конструкция связи поглотителя RFTES-детектора с высокодобротным резонатором накачки и источником сигнала, позволяющая получить предельно возможную чувствительность. Проведено детальное электромагнитное моделирование в масштабе полного чипа для двух практических случаев: для поглотителя на основе пленки гафния и для поглотителя на основе пленки ниобия в температурном интервале 4-5 K с накачкой на частоте 5.5 GHz. Определено остаточное влияние неконтролируемой асимметрии структуры на степень развязки как -50 dB. Разработаны, изготовлены и начаты экспериментальные тесты первой серии экспериментальных образцов с поглотителями микронного размера для работы в температурном диапазоне 4-5 K. Ключевые слова: прямой детектор, балансный детектор, RFTES-детектор, сверхпроводящий фазовый переход, сверхпроводящий резонатор, сверхпроводящий микромостик, пленка гафния, горячий электронный газ, СВЧ сверхпроводимость, сверхпроводящий кубит, дисперсионное считывание.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.