Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2026, выпуск 10 » Статья стр. 1952
<<<>>>
Матричный анализ экспериментальных передаточных функций прототипов сверхпроводящих гаусс-нейронов
Российский научный фонд, 23-72-00053
Ионин А.C.1,2,3, Разорёнов Ф.А.1,2, Тарасова И.Е.1,2,3, Жардецкий Е.Н.1,4, Соколов Н.А.1,2, Егоров С.В.1, Больгинов В.В.1
1Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
2Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Московская обл., Россия
3СП " Квант", Москва, Россия
4Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Москва, Россия
Email: sasha-ionin@mail.ru, bolg@issp.ac.ru
Поступила в редакцию: 22 мая 2026 г.
В окончательной редакции: 22 мая 2026 г.
Принята к печати: 22 мая 2026 г.
Выставление онлайн: 12 августа 2026 г.
PDF версия
Ранее было показано, что искусственные нейроны для сверхпроводящих нейронных сетей могут быть реализованы в виде одноконтактного и двухконтактного интерферометров, шунтированных дополнительной индуктивностью. Первые попытки реализации одноконтактного сигма-нейрона выявили необходимость и возможность построения обобщенной матричной теории, учитывающей все компоненты матрицы индуктивностей экспериментального образца размерностью 5x5 элементов. В работе представлено расширение матричного подхода на случай двухконтактного гаусс-нейрона. Разработанный метод допускает простую программную реализацию, хорошо описывает экспериментальные результаты и позволяет переключаться между сигма- и гаусс-нейронами путем незначительного изменения кода программы. Обсуждены сходства и различия матричных методов для сигма- и гаусс-нейронов, а также перспективы дальнейшего расширения матричного подхода на случаи трехконтактного и бесконтактного интерферометров. Ключевые слова: джозефсоновские интерферометры, сверхпроводниковые нейроны, искусственные нейронные сети, сверхпроводниковая электроника, эффект Джозефсона, сверхпроводимость.
  1. X. Chen, X. Wang, A. Colacelli, M. Lee, L. Xie. Electricity demand and grid impacts of AI data centers: Challenges and prospects. arXiv preprint arXiv:2509.07218 (2025)
  2. A.E. Schegolev, N.V. Klenov, I.I. Soloviev, M.V. Tereshonok. Beilstein J. Nanotechnol., 7 (1), 1397 (2016). DOI: 10.3762/bjnano.7.130
  3. N.V. Klenov, A.E. Schegolev, I.I. Soloviev, S.V. Bakurskiy, M.V. Tereshonok. IEEE Trans. Appl. Supercond., 28 (7), 1 (2018). DOI: 10.1109/TASC.2018.2836903
  4. I.I. Soloviev, A.E. Schegolev, N.V. Klenov, S.V. Bakurskiy, M.Y. Kupriyanov, M.V. Tereshonok, A.V. Shadrin, V.S. Stolyarov, A.A. Golubov. J. Appl. Phys., 124 (15), 152113 (2018). DOI: 10.1063/1.5042147
  5. N. Klenov, A. Kuznetsov, A. Schegolev, I. Soloviev, S. Bakurskiy, M. Y. Kupriyanov, M. Tereshonok. Low Temp. Phys., 45 (7), 769 (2019). DOI: 10.1063/1.5111305
  6. S. Bakurskiy, M. Kupriyanov, N.V. Klenov, I. Soloviev, A. Schegolev, R. Morari, Y. Khaydukov, A.S. Sidorenko. Beilstein J. Nanotechnol., 11 (1), 1336 (2020). DOI: 10.3762/bjnano.11.118
  7. A. Schegolev, N. Klenov, I. Soloviev, A. Gudkov, M. Tereshonok. Nanobiotechnology Reports, 16 (6), 811 (2021). DOI: 10.1134/S2635167621060227
  8. A. Schegolev, N. Klenov, I. Soloviev, M. Tereshonok. Supercond. Sci. Technol., 34 (1), 015006 (2020). DOI: 10.1088/1361-6668/abc569
  9. M. Bastrakova, A. Gorchavkina, A. Schegolev, N. Klenov, I. Soloviev, A. Satanin, M. Tereshonok. Symmetry, 13 (9), 1735 (2021). DOI: 10.3390/sym13091735
  10. A.E. Schegolev, N.V. Klenov, S.V. Bakurskiy, I.I. Soloviev, M.Y. Kupriyanov, M.V. Tereshonok, A.S. Sidorenko. Beilstein J. Nanotechnol., 13 (1), 444 (2022). DOI: 10.3762/bjnano.13.37
  11. M.V. Bastrakova, D.S. Pashin, D.A. Rybin, A.E. Schegolev, N.V. Klenov, I.I. Soloviev, A.A. Gorchavkina, A.M. Satanin. Beilstein J. Nanotechnol., 13 (1), 653 (2022). DOI: 10.3762/bjnano.13.57
  12. А.С. Ионин, Н.С. Шуравин, Л.Н. Карелина, А.Н. Россоленко, М.С. Сидельников, С.В. Егоров, В.И. Чичков, М.В. Чичков, М.В. Жданова, А.Е. Щеголев, В.В. Больгинов. ЖЭТФ, 164, 1008 (2023). DOI: 10.31857/S0044451023120143 [A.S. Ionin, N.S. Shuravin, L.N. Karelina, A.N. Rossolenko, M.S. Sidel'nikov, S.V. Egorov, V.I. Chichkov, M.V. Chichkov, M.V. Zhdanova, A.E. Shchegolev, V.V. Bol'ginov. JETP, 137 (6), 888 (2023). DOI: 10.1134/S1063776123120191]
  13. А.С. Ионин, Л.Н. Карелина, Н.С. Шуравин, М.С. Сидельников, Ф.А. Разоренов, С.В. Егоров, В.В. Больгинов. Письма в ЖЭТФ, 118 (10), 761 (2023). DOI: 10.31857/S123456782322010X [A.S. Ionin, L.N. Karelina, N.S. Shuravin, M.S. Sidel'nikov, F.A. Razorenov, S.V. Egorov, V.V. Bol'ginov. JETP Lett., 118 (10), 766 (2023). DOI: 10.1134/S002136402360324X]
  14. А.С. Ионин, С.В. Егоров, М.С. Сидельников, Л.Н. Карелина, Н.С. Шуравин, М.М. Хапаев, В.В. Больгинов. ФТТ, 66 (7), 1019 (2024). DOI: 10.61011/FTT.2024.07.58366.25HH [A.S. Ionin, S.V. Egorov, M.S. Sidelnikov, L.N. Karelina, N.S. Shuravin, M.M. Khapaev, V.V. Bol'ginov. Phys. Solid State, 66 (7), 987 (2024). DOI: 10.61011/PSS.2024.07.58963.25HH]
  15. Н.С. Шуравин, Л.Н. Карелина, А.С. Ионин, Ф.А. Разоренов, М.С. Сидельников, С.В. Егоров, В.В. Больгинов. Письма в ЖЭТФ, 120 (11), 863 (2024). DOI: 10.31857/S0370274X24120076 [N.S. Shuravin, L.N. Karelina, A.S. Ionin, F.A. Razorenov, M.S. Sidel'nikov, S.V. Egorov, V.V. Bol'ginov. JETP Lett., 120 (11), 829 (2024). DOI: 10.1134/S0021364024603427]
  16. F.A. Razorenov, A.S. Ionin, N.S. Shuravin, L.N. Karelina, M.S. Sidel'nikov, S.V. Egorov, V.V. Bol'ginov. Beilstein J. Nanotechnol., 16 (1), 1160 (2025). DOI: 10.3762/bjnano.16.85
  17. I.E. Tarasova, N.S. Shuravin, L.N. Karelina, F.A. Razorenov, E.N. Zhardetsky, A.S. Ionin, M.M. Khapaev, V.V. Bol'ginov. Beilstein J. Nanotechnol., 17 (1), 122 (2026). DOI: 10.3762/bjnano.17.8
  18. M.J. Orr. Introduction to radial basis function networks (Centre for Cognitive Science, University of Edinburgh, Edinburgh, Scotland). Электронный ресурс: https://faculty.cc.gatech.edu/ isbell/tutorials/rbf-intro.pdf (1996). (дата обращения: 22.05.2026)
  19. K. Likharev. IEEE Trans. Magn., 13 (1), 242 (1977). DOI: 10.1109/TMAG.1977.1059351
  20. M. Hosoya, W. Hioe, J. Casas, R. Kamikawai, Y. Harada, Y. Wada, H. Nakane, R. Suda, E. Goto. IEEE Trans. Appl. Supercond., 1 (2), 77 (1991). DOI: 10.1109/77.84613
  21. В.В. Шмидт. Введение в физику сверхпроводников Изд. 2-е (МЦНМО, М., 2000)
  22. S. K. Tolpygo, V. Bolkhovsky, T. Weir, C. Galbraith, L.M. Johnson, M.A. Gouker, V.K. Semenov. IEEE Trans. Appl. Supercond., 25 (3), 1 (2014). DOI: 10.1109/TASC.2014.2369213
  23. D.S. Pashin, M.V. Bastrakova, D.A. Rybin, I.I. Soloviev, N.V. Klenov, A.E. Schegolev. Nanomaterials, 14 (10), 854 (2024). DOI: 10.3390/nano14100854
  24. M.M. Khapaev, A.Y. Kidiyarova-Shevchenko, P. Magnelind, M.Y. Kupriyanov. IEEE Trans. Appl. Supercond., 11 (1 I), 1090 (2001). DOI: 10.1109/77.919537
  25. M.M. Khapaev, M.Y. Kupriyanov. Supercond. Sci. Technol., 28 (5), 055013 (2015). DOI: 10.1088/0953-2048/28/5/055013
  26. S.V. Bakurskiy, N.V. Klenov, M.Y. Kupriyanov, I.I. Soloviev, M.M. Khapaev. Comput. Math. and Math. Phys., 61 (5), 854 (2021). DOI: 10.1134/S096554252105002X
  27. F. Razorenov, N. Shuravin, L. Karelina, V. Bol'ginov. Surf. Investigation X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 19 (Suppl 1), S33 (2025). DOI: 10.1134/S1027451026700059

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme