Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2024, выпуск 8 » Статья стр. 1240
<<<>>>
Исследование электрического сопротивления пленок галлия на реконструированной поверхности Si(111)
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание, FWFW-2021-0002
Цуканов Д.А. 1,2, Рыжкова М.В. 1
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток, Россия
2Дальневосточный федеральный университет, Владивосток, Россия
Email: tsukanov@iacp.dvo.ru, ryzhkova@iacp.dvo.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 25 апреля 2024 г.
Принята к печати: 25 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 27 июля 2024 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования кристаллической структуры и электрического сопротивления подложек кремния Si(111) после осаждения галлия на предварительно сформированные поверхностные реконструкции в системах Ga/Si(111), Tl/Si(111), Au/Si(111). Для исследования изменений структуры кристаллической решетки поверхности использован метод дифракции медленных электронов, а для измерения электрического сопротивления подложек в условиях in situ - четырехзондовый метод. Рассмотрено влияние концентрации адсорбированных атомов галлия на структурные и электрические свойства пленок. Показана роль поверхностных реконструкций в качестве буферного слоя для последующего роста сверхтонких пленок. Ключевые слова: адсорбция, поверхностная реконструкция, электрическое сопротивление, дифракция медленных электронов, четырехзондовый метод измерения сопротивления подложки.
  1. W.F. Leonard, S.F. Lin. Thin Solid Films, 28, L9 (1975). DOI: 10.1016/0040-6090(75)90285-0
  2. C.B. Duke. Appl. Surf. Sci., 65/66, 543 (1993). DOI: 10.1016/0169-4332(93)90717-P
  3. V.G. Lifshits, A.A. Saranin, A.V. Zotov. Surface Phases on Silicon (Chichester, Wiley, 1993)
  4. H.W. Yeom, S. Takeda, E. Rotenberg, I. Matsuda, K. Horikoshi, J. Schaefer, C.M. Lee, S.D. Kevan, T. Ohta, T. Nagao, S. Hasegawa. Phys. Rev. Lett., 82, 4898 (1999). DOI: 10.1103/PhysRevLett.82.4898
  5. E. Rotenberg, H. Koh, K. Rossnagel, H.W. Yeom, J. Schafer, B. Krenzer, M.P. Rocha, S.D. Kevan. Phys. Rev. Lett., 91, 246404 (2003). DOI: 10.1103/PhysRevLett.91.246404
  6. K. Sakamoto, H. Kakuta, K. Sugawara, K. Miyamoto, A. Kimura, T. Kuzumaki, N. Ueno, E. Annese, J. Fujii, A. Kodama, T. Shishidou, H. Namatame, M. Taniguchi, T. Sato, T. Takahashi, T. Oguchi. Phys. Rev. Lett., 103, 156801 (2009). DOI: 10.1103/PhysRevLett.103.156801
  7. T. Uchihashi, P. Mishra, M. Aono, T. Nakayama. Phys. Rev. Lett., 107, 207001 (2011). DOI: 10.1103/PhysRevLett.107.207001
  8. Y. Fukuya, I. Matsuda, M. Hashimoto, K. Kubo, T. Hirahara, S. Yamazaki, W.H. Choi, H.W. Yeom, S. Hasegawa, A. Kawasuso, A. Ichimiya. Surf. Sci., 606, 919 (2012). DOI: 10.1016/j.susc.2012.02.006
  9. I. Matsuda, F. Nakamura, K. Kubo, T. Hirahara, S. Yamazaki, W.H. Choi, H.W. Yeom, H. Narita, Y. Fukuya, M. Hashimoto, A. Kawasuso, M. Ono, Y. Hasegawa, S. Hasegawa, K. Kobayashi. Phys. Rev. B, 82, 165330 (2010). DOI: 10.1103/PhysRevB.82.165330
  10. V.G. Kotlyar, A.V. Zotov, A.A. Saranin, T.V. Kasyanova, M.A. Cherevik, I.V. Pisarenko, V.G. Lifshits. Phys. Rev. B, 66, 165401 (2002). DOI: 10.1103/PhysRevB.66.165401
  11. K. Oura, V.G. Lifshits, A.A. Saranin, A.V. Zotov, M. Katayama. Surf. Sci. Reps., 35, 1 (1999). DOI: 10.1016/S0167-5729(99)00005-9
  12. D.A. Tsukanov, M.V. Ryzhkova, D.V. Gruznev, O.A. Utas, V.G. Kotlyar, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Nanotechnology, 19, 245608 (2008). DOI: 10.1088/0957-4484/19/24/245608
  13. H.-M. Zhang, Y. Sun, W. Li, J.-P. Peng, C.-L. Song, Y. Xing, Q. Zhang, J. Guan, Y. Zhao, S. Ji, L. Wang, K. He, X. Chen, L. Gu, L. Ling, M. Tian, L. Li, X.C. Xie, J. Liu, H. Yang, Q.-K. Xue, J. Wang, X. Ma. Phys. Rev. Lett., 114, 107003 (2015). DOI: 10.1103/PhysRevLett.114.107003
  14. N. Briggs, B. Bersch, Y. Wang, J. Jiang, R.J. Koch, N. Nayir, K. Wang, M. Kolmer, W. Ko, A.D.L.F. Duran, S. Subramanian, C. Dong, S. Shallenberger, M. Fu, Q. Zou, Y.-W. Chuang, Z. Gai, A.-P. Li, A. Bostwick, C. Jozwiak, C.-Z. Chang, E. Rotenberg, J. Zhu, A.C.T. van Duin, V. Crespi, J.A. Robinson. Nat. Mater., 19, 637 (2020). DOI: 10.1038/s41563-020-0631-x
  15. D.Z. Metin, L. Hammerschmidt, N. Gaston. Phys. Chem. Chem. Phys., 20, 27668 (2018). DOI: 10.1039/c8cp05280h
  16. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, V.G. Kotlyar, T.V. Utas, A.N. Mihalyuk, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. J. Alloys Compd., 969, 172453 (2023). DOI: 10.1016/j.jallcom.2023.172453
  17. H. Okamoto, M.E. Schlesinger, E.M. Mueller. ASM Handbook Volume 3: Alloy Phase Diagrams (ASM International, 2016)
  18. M.Y. Lai, Y.L. Wang. Phys. Rev. B, 60, 1764 (1999). DOI: 10.1103/PhysRevB.60.1764
  19. E.Z. Luo, S. Heun, M. Kennedy, J. Wollschlager, M. Henzler. Phys. Rev. B, 49, 4858 (1994). DOI: 10.1103/PhysRevB.49.4858
  20. T. Kanagawa, R. Hobara, I. Matsuda, T. Tanikawa, A. Natori, S. Hasegawa. Phys. Rev. Lett., 91, 036805 (2003). DOI: 10.1103/PhysRevLett.91.036805
  21. D.A. Tsukanov, S.G. Azatyan, M.V. Ryzhkova, E.A. Borisenko, O.A. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Appl. Surf. Sci., 476, 1 (2019). DOI: 10.1016/j.apsusc.2019.01.063
  22. D.V. Gruznev, D.A. Olyanich, D.N. Chubenko, D.A. Tsukanov, E.A. Borisenko, L.V. Bondarenko, M.V. Ivanchenko, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Surf. Sci., 603, 3400 (2009). DOI: 10.1016/j.susc.2009.10.001
  23. S. Hasegawa, X. Tong, S. Takeda, N. Sato, T. Nagao. Prog. Surf. Sci., 60, 89 (1999). DOI: 10.1016/S0079-6816(99)00008-8
  24. O. Pfennigstorf, K. Lang, H.-L. Gunter, M. Henzler. Appl. Surf. Sci., 162, 537 (2000). DOI: 10.1016/S0169-4332(00)00247-6
  25. S. Hasegawa, S. Ino. Surf. Sci., 283, 438 (1993). DOI: 10.1016/0039-6028(93)91016-I
  26. P. Kumar, M. Kumar, B.R. Mehta, S.M. Shivaprasad. Appl. Surf. Sci., 256, 480 (2009). DOI: 10.1016/j.apsusc.2009.07.036
  27. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, A.N. Mihalyuk, D.V. Denisov, A.V. Matetskiy, D.A. Olyanich, T.V. Utas, V.S Zhdanov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Mol. Syst. Des. Eng., 8, 604 (2023). DOI: 10.1039/d2me00251e
  28. M.L. Tao, Y.B. Tu, K. Sun, Y.L. Wang, Z.B. Xie, L. Liu, M.X. Shi, J.Z. Wang. 2D Mater., 5, 035009 (2018). DOI: 10.1088/2053-1583/aaba3a
  29. M. Jalochowski, E. Bauer. Surf. Sci., 213, 556 (1989). DOI: 10.1016/0039-6028(89)90312-9
  30. S.S. Lee, H.J. Song, N.D. Kim, J.W. Chung, K. Kong, D. Ahn, H. Yi, B.D. Yu, H. Tochihara. Phys. Rev. B, 66, 233312 (2002). DOI: 10.1103/PhysRevB.66.233312
  31. A.N. Mihalyuk, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, J.-P. Chou, C.-R. Hsing, C.-M. Wei, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Surf. Sci., 668, 17 (2018). DOI: 10.1016/j.susc.2017.10.010
  32. S. Ichinokura, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin, S. Hasegawa. 2D Mater., 4, 025020 (2017). DOI: 10.1088/2053-1583/aa57f9
  33. Y. Ke, F. Zahid, V. Timoshevskii, R. Xia, D. Gall, H. Guo. Phys. Rev. B, 79, 155406 (2009). DOI: 10.1103/PhysRevB.79.155406
  34. T. Yamanaka, S. Ino. Phys. Rev. Lett., 89, 196101 (2002). DOI: 10.1103/PhysRevLett.89.196101
  35. L.V. Bondarenko, A.N. Mihalyuk, A.Y. Tupchaya, Y.E. Vekovshinin, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Phys. Rev. B, 101, 075405 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevB.101.075405
  36. I. Chizhov, G. Lee, R.F. Willis. Phys. Rev. B, 56, 12316 (1997). DOI: 10.1103/PhysRevB.56.12316
  37. Fritz Haber Institute of the Max Planck Society, "LEEDpat4" software https://www.fhi.mpg.de/958975/LEEDpat4
  38. К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. Введение в физику поверхности (Наука, М., 2006)

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme