"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Анализ дислокационной структуры в монокристаллах германия на основе данных мультифизического моделирования
Подкопаев О.И. 1, Артемьев В.В., Смирнов А.Д., Мамедов В.М., Сидько А.П., Калаев В.В., Кравцова Е.Д. 2, Шиманский А.Ф. 2
1АО "Германий"
2ФГАОУ ВПО "Сибирский федеральный университет", Красноярск, Россия
Email: dagrievna@mail.ru, shimanaf@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

Получение высококачественных кристаллов германия является одной из важнейших задач ростовой промышленности. Важным параметром качества монокристаллов является величина плотности дислокаций. Представлены экспериментальные данные по плотности дислокаций в кристаллах германия диаметром 100 mm различной формы боковой поверхности, выращенные по методу Чохральского. Получены результаты численного моделирования роста кристаллов с использованием моделей теплообмена, гидродинамики и модели дислокаций Александера-Хаасена в программе CGSim. Сравнение экспериментальной и расчетной величины плотности дислокаций показало пригодность модели дислокаций для изучения дефектов структуры кристаллов германия и повышения их качества.
  • Claeys Cor L. Germanium-based technologies: from materials to devices. Berlin [etc.]: Elsevier, 2007. 449 p
  • Depuydt В., Theuwis А., Romandic I. Mat. Sci. Semicon. Proc. 2006. Vol. 9. N 4-5. P. 437-443
  • Dimroth F., Kurtz S. // MRS Bull. 2007. Vol. 32. N 3. Р. 230-235
  • http://eom.umicore.com/en/materials/library/ brochuresAndMarketingMaterial/ show\_GermaniumOpticsBrochure.pdf GermaniumOpticsBrochure.pdf
  • Wang G., Sun Y., Xiang W. // et al. J. Cryst. Growth. 2012. Vol. 352. P. 27-30
  • Конаков П.К., Веревочкин Г.Е., Горяинов Л.А. и др. Тепло- и массообмен при получении монокристаллов. М.: Металлургия, 1971. 239 с
  • Moskovskih V.A., Kasimkin P.V., Shlegel V.N., Vasiliev Y.V., Gridchin V.A., Podkopaev O.I. // J. Cryst. Growth. 2014. Vol. 401. P. 767-771
  • Каплунов И.А., Шелопаев А.В., Колесников А.И. // Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2010. N 12. С. 22-25
  • http://www.str-soft.com/products/CGSim/
  • Kalaev V.V., Evstratov I.Yu., Makarov Yu.N. // J. Cryst. Growth. 2003. Vol. 249. P. 87-99
  • Rupp R., Muller G. // J. Cryst. Growth. 1991. Vol. 113. P. 131-139
  • Artemyev V.K., Folomeev V.P., Ginkin V.P., Kartavykh A.V., Milvidskii M.G., Rakov V.V. // J. Cryst. Growth. 2001. Vol. 223. P. 29-37
  • Sampath R., Zabaras N. // J. Phys. Chem. B. 2001. Vol. 105. P. 121 126-12 133
  • Patzold O., Fischer B., Croll A. // Cryst. Res. Technol. 2002. Vol. 37. P. 1058-1065
  • Van den Bogaert N., Dupret F. // J. Cryst. Growth. 1997. Vol. 171. P. 65-76
  • Nakanishi H. // J. Cryst. Growth. 1998. Vol. 191. P. 711-717
  • Kuandakov L.L. // J. Cryst. Growth. 2001. Vol. 222 P. 852-861
  • Alexander H., Haasen P. // Solid State Phys. 1969. Vol. 22. P. 27-158
  • Sumino K., Kodaka S. // Mater. Sci. Eng. 1974. Vol. 13. P. 263-268
  • Sumino K. // Mater. Sci. Eng. 1974. Vol. 13. P. 269-275
  • [Электронный ресурс] режим доступа: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Ge/mechanic.html
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.