Nikolaev V. I.1,2, Pozdnyak I. V.3, Pechenkov A. Y.3, Chikiryaka A. V.1, Timashov R. B.1, Shcheglov M. P.1, Krymov V. M.1, Shapenkov S. V.1
1Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia
2Perfect Crystals LLC, Saint-Petersburg, Russia
3St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia
Email: chikiryaka@mail.ru
The paper studies the possibility of obtaining gallium oxide crystals by free crystallization in a cold crucible. It presents information about the features of gallium oxide garnishing melting. The first single crystals were obtained, and their characteristics were studied. Keywords: gallium oxide, crystal growth, cold crucible, free crystallization.
- S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov, Rev. Adv. Mater. Sci., 44 (1), 63 (2016). http://www.ipme.ru/e-journals/RAMS/no_14416/06_14416_stepanov.pdf
- S.J. Pearton, J. Yang, P.H. Cary, F. Ren, J. Kim, M.J. Tadjer, M.A. Mastro, Appl. Phys. Rev., 5 (1), 011301 (2018). DOI: 10.1063/1.5006941
- Z. Galaska, R. Uecker, D. Klimm, K. Irmscher, M. Naumann, M. Pietsch, A. Kwasniewski, R. Bertram, S. Gansschow, M. Bickermann, ECS J. Solid State Sci. Technol., 6 (2), Q3007 (2017). DOI: 10.1149/2.0021702jss
- A. Kuramata, K. Koshi, S. Watanabe, Y. Yamaoka, T. Masui, S. Yamakoshi, Jpn. J. Appl. Phys., 55 (12), 1202A2 (2016). DOI: 10.7567/JJAP.55.1202A2
- X. Dong, W. Mu, P. Wang, Y. Dong, H. Zhao, B. Chen, Z. Jia, X. Tao, J. Semicond., 46 (6), 062501 (2025). DOI: 10.1088/1674-4926/24110029
- N. Xia, Y. Liu, D. Wu, L. Li, K. Ma, J. Wang, H. Zhang, D. Yang, J. Alloys Compd., 935, 168036 (2023). DOI: 10.1016/j.jallcom.2022.168036
- Z. Galazka, S. Ganschow, P. Seyidov, K. Irmscher, M. Pietsch, T.-S. Chou, S.B. Anooz, R. Grueneberg, A. Popp, A. Dittmar, A. Kwasniewski, M. Suendermann, D. Klimm, T. Straubinger, T. Schroeder, M. Bickermann, Appl. Phys. Lett., 120 (15), 152101 (2022). DOI: 10.1063/5.0086996
- D. Rot, J. Kozeny, S. Jirinec, J. Jirinec, A. Podhrazky, I. Poznyak, in 2017 18th Int. Scientific Conf. on electric power engineering (EPE) (IEEE, 2017), p. 1--4. DOI: 10.1109/EPE.2017.7967281
- A. Yoshikawa, V. Kochurikhin, T. Tomida, I. Takahashi, K. Kamada, Y. Shoji, K. Kakimoto, Sci. Rep., 14, 14881 (2024). DOI: 10.1038/s41598-024-65420-7
- X. Gao, Z. Jin, D. Wu, J. He, Y. Yan, Y. Liu, K. Ma, N. Xia, H. Zhang, D. Yang, Epitaxy-Ready 6-Inch (100) B-Ga2O3 Wafers Grown by a Casting Method, preprint (SSRN, 2025). DOI: 10.2139/ssrn.5356413
- V.I. Nikolaev, A.Y. Polyakov, V.M. Krymov, S.V. Shapenkov, P.N. Butenko, E.B. Yakimov, A.A. Vasilev, I.V. Shchemerov, A.V. Chernykh, N.R. Matros, L.A. Alexanyan, A.I. Kochkova, S.J. Pearton, ECS J. Solid State Sci. Technol., 13, 015003 (2024). DOI: 10.1149/2162-8777/ad1bda
- V.I. Nikolaev, S.V. Shapenkov, R.B. Timashov, A.I. Stepanov, M.P. Scheglov, A.V. Chikiryaka, A.Y. Polyakov, S.J. Pearton, J. Alloys Compd., 994, 174687 (2024). DOI: 10.1016/j.jallcom.2024.174687
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.