Vitlina R. Z.1, Magarill L. I.1, Chaplik A. V.1
1Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Division, Novosibirsk, Russia
Email: ritta@isp.nsc.ru, cchaplik@isp.nsc.ru
Electronic characteristics of a short-range impurity center in a monolayer of transition metal dichalcogenides (TMDC) are theoretically investigated. The bound states energy, electron scattering cross-section and photoionization probability are found. The valley selectivity coefficient for the impurity-to-band transitions is calculated. Keywords: transition metal dichalcogenides, short-range impurity, transport cross-section, photoionization.
- A. Kormanyos, G. Burkard, M. Gmitra, J. Fabian, V. Zolyomi, N.D. Drummond, V. Falko. 2D Materials 2, 022001 (2015)
- Felix Rose, M.O. Goerbig. Frederic Piechon. Phys. Rev. B 88, 125438 (2013)
- G. Catarina, J. Have, Fernandez-Rossier, N.M.R. Peres. Phys. Rev. B 99, 125405 (2019)
- V.V. Enaldiev. Phys.Rev. B, 96, 235429 (2017)
- D. Oliveira, J. Fu, L.V. Lelovsky, A.C. Dias, F. Qu. Phys. Rev. B, 93, 205422 (2016)
- F. Qu, A.C. Dias, J. Fu, L. Villegas-Lelovsky, D.L. Azevedo. Scientific Reports. 7, 41044 (2017)
- Di Xiao, Gui-Bin Liu, Wanxiang Feng, Xiaodong Xu, Wang Yao. Phys. Rev. Lett. 108, 196802 (2012)
- F. Stern, W.E. Howard. Phys. Rev. 163, p. 816 (1967)
- M.E. Portnoi. Pis'ma v ZhTF, 14, 1252 (1988). (in Russian)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.