Study of nitrogen ion implantation through Si3N4 layer for GaN on Si power HEMTs isolation process
Egorkin V. I.
1, Obolenskiy S. V.
2, Zemlyakov V. E.
1, Zaytsev A. A.
1, Garmash V. I.
11National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia
2Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia
Email: egorkinvi1962@mail.ru, obolensk@rf.unn.ru, vzml@rambler.ru, Ziko27@yandex.ru, garmashvalentine@gmail.com
This letter reports a nitrogen ion implantation through silicon nitride passivation layer deposited on AlGaN/GaN on Si heterojunction structure. Employment of Si3N4 layer simplify HEMT fabrication process and helps to obtain high resistivity isolation due to the shift of implanted ions distribution towards the surface of semiconductor. This isolation process in combination with C-doped heterostructure buffer layer results in increased up to 650 V breakdown voltage. Keywords: ion implantation, breakdown voltage, GaN, power transistor.
- I.B. Rowena, S.L. Selvaraj, T. Egawa, IEEE Electron Dev. Lett., 32 (11), 1534 (2011). DOI: 10.1109/LED.2011.2166052
- V.I. Yegorkin, V.A. Bespalov, A.A. Zaitsev, V.E. Zemlyakov, V.V. Kapayev, O.B. Kukhtyayeva, University Bulletins. Electronics, 25 (5), 391 (2020). DOI: 10.24151/1561-5405-2020-25-5-391-401
- W.M. Waller, M. Gajda, S. Pandey, J.J.T.M. Donkers, D. Calton, J. Croon, S. Karboyan, J. vSonsky, M.J. Uren, M. Kubal, IEEE Trans Electron Dev., 64 (3), 1197 (2017). DOI: 10.1109/TED.2017.2654800
- S.R. Bahl, J.A. Delalamo, IEEE Electron Dev. Lett., 13 (2), 195 (1992). DOI: 10.1109/55.144979
- H. Kasai, H. Ogawa, T. Nishimura, T. Nakamura, Phys. Status Solidi C, 11 (3-4), 914 (2014). DOI: 10.1002/pssc.201300436
- A. Taube, E. Kaminska, M. Kozubal, J. Kaczmarski, W. Wojtasiak, J. Jasinski, M.A. Borysiewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, J. Grochowski, M. Mysliwiec, E. Dynowska, A. Barcz, P. Prystawko, M. Zajac, R. Kucharski, A. Piotrowska, Phys. Status Solidi A, 212 (5), 1162 (2015). DOI: 10.1002/pssa.201431724
- H. Huang, K.J. Winchester, A. Suvorova, B.R. Lawn, Y. Liu, X.Z. Hu, J.M. Dell, L. Faraone, Mater. Sci. Eng. A, 435- 436, 453 (2006). DOI: 10.1016/j.msea.2006.07.015
- E.A. Tarasova, E.S. Obolenskaya, A.V. Khananova, S.V. Obolensky, V.E. Zemlyakov, V.I. Yegorkin, A.V. Nezhentsev, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, V.V. Lundin, E.E. Zavarin, G.V. Medvedev, Semiconductors, 50 (12), 1599 (2016). DOI: 10.21883/ftp.2016.12.43883.29
- D.S. Arteev, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, D.A. Zakheim, A.F. Tsatsulnikov, M.I. Gindina, P.N. Brunkov, J. Phys.: Conf. Ser., 1697, 012206 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012206
- V.I. Garmash, V.E. Zemlyakov, V.I. Yegorkin, A.V. Kovalchuk, S.Yu. Shapoval, Semiconductor, 54 (8), 748 (2020). DOI: 10.21883/TPL.2022.13.53550.18805
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
