Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
14901
Распределение статей по годам:
787
784
752
658
635
456
443
494
486
451
492
429
403
412
432
397
396
404
408
378
377
428
403
399
407
392
403
406
402
382
385
420

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Межпримесная излучательная рекомбинация в кристаллах PbI2
13
Кинки в квазидвумерной системе
12
ЯМР 87Rb в Rb2CdCl4
12
Именной указатель к журналу Физика твердого тела" Том 32 за 1990 г.
12
Особенности взаимодействия акустических волн с ионной (протонной) подсистемой в кристаллах CsDSO4 и CsHSO4
11
Наблюдение динамических осцилляций в температурной зависимости интенсивности магнитного рассеяния нейтронов
11
Транспортные свойства квазиодномерных систем, обусловленные мягкой фононной модой (аномалией Кона)
11
Энергетические диаграммы и электрические характеристики сверхрешеток Ge-Ge1-xSix с напряженными слоями
11
О природе экстремально узких линий ЭПР в условиях двухчастотной продольной модуляции магнитного поля
11
Об аномалии в низкотемпературных калориметрических свойствах n-PbS
10
Циклотронная масса электронов в наклонном магнитном поле в гетеропереходе GaAs-GaAlAs
10
Сжимаемость дейтеридов Ni и PD
10
Электрические и магнитные свойства La2Cu1-xNixO4+delta
10
Теория фотопереноса электрона между ян-теллеровскими комплексами в конденсированных средах
10
Структура плоской доменной границы в одноосном ферромагнетике при наличии ромбической анизотропии
10
Влияние рассеяния дырок на поглощение инфракрасного излучения в полупроводниках p-типа с вырожденной валентной зоной
10
Электронный транспорт в полупроводниках с резонансными уровнями
10
Захват фотоэлектронов на дефекты поверхности при фотоэмиссии из арсенида галлия в вакуум
10
Эффективные электрооптические константы непроводящих сверхрешеток
9
Тепловые свойства монокристаллов CsCdCl3
9
Статья
Просмотров
Связь концентрационной упорядоченности твердых растворов на основе литиевого феррита с энергией предпочтения катионов к октаэдрическим узлам
1171
Плотность энергетических состояний электронов металла и когерентные состояния
1153
Специальные межфазные границы в системах с большим несоответствием параметров кристаллических решеток
1111
Уединенные магнитоупругие волны в борате железа
1111
Транспортные свойства квазиодномерных систем, обусловленные мягкой фононной модой (аномалией Кона)
1010
Определение эффективного магнитного момента феррона и величины p-d обмена в монокристаллах CdCr2Se4, легированных серебром
931
Ширина линий экситонного поглощения в твердых растворах In1-xGaxAs/InP
923
Фрактальные модели пространственной структуры высокодисперсных металлических частиц
907
Теория слабой кристаллизации пленок
905
Динамика решетка алмазоподобных кристаллов в концепции сверхпространственной симметрии
902
Гистерезисные и гетерогенные области на P-T диаграмме кристаллических состояний фторсиликата железа в окрестности тройной точки
900
К теории фазовых переходов в кристаллах с образованием неоднородных и геликоидальных структур
888
К теории электронной структуры и свойств неупорядоченных сплавов железо-хром
886
Метод обратной задачи рассеяния в теории локализации
873
Исследование инвертированных и анизотропных распределений горячих электронов при динамическом междолинном переносе в материалах типа Ga1-xAlxAs
869
Влияние магнитного поля на релаксационный пик диэлектрических потерь в полимерах
868
Флуктуации плотности заряда в системах с тяжелыми фермионами
867
Волна зарядовой плотности и электрические свойства одномерного проводника Na0.33V2O5 типа beta
866
Сбросообразование в кристаллах иодистого цезия при различных условиях деформации
861
Экситоны и биэкситоны в квантоворазмерных микрокристаллах полупроводников, диспергированных в диэлектрической стеклянной матрице
860
Фазовые переходы в неупорядоченных изинговских ферритах
845
О купратных сверхпроводниках с электронным типом проводимости
840
Деформация кручением и возврат формы металлического стекла Ni60Nb40
839
Магнитная восприимчивость в слабом магнитном поле и строение валентной зоны теллурида олова
837
Влияние подвижных ионов лития на упругие свойства ниобиевофосфатных стекол
836
Динамическое торможение винтовой дислокации точечными дефектами
833
К теории рождения экситонов в полярных полупроводниках
830
Накопительные процессы в кинетике механического и электрического разрушения полимеров
817
Излучение изменения электронной структуры оптических и магнитных свойств аморфных пленок сплавов Co1-xWx при их структурной релаксации и кристаллизации методами эллипсометрии и ЯМР-спектроскопии
816
О вакансиях в кристалле полиэтилена
814
Эффекты ковалентности в дефектном Y3Fe5O12
810
Статистика динамических процессов при низкотемпературной скачкообразной деформации металлов
810
Квазибаллистическое распространение резонансных фононов в среде с двухуровневыми центрами рассеяния
809
Экситоны в спектрах люминесценции сверхтонких пленок PbI2
808
Спектры отражения проводящих и сверхпроводящих органических кристаллов: alpha-, beta-(BEDT-TTF)2I3, k-(BEDT-TTF)2Cu(SCN)2 в области внутримолекулярных переходов
808
Поляризованные спектры отражения нового органического сверхпроводника (BEDT-TTF)4Hg2.89Br8
801
Электронно-стимулированная десорбция ионов лития и натрия с поверхности вольфрама, покрытого моноатомной пленкой кремния
799
Переход в аморфное состояние кристаллической фазы высокого давления GaSb
799
К теории вакансионного распухания металлов. I. Радиационные потоки точечных дефектов на пору и дислокацию
794
Профили возбуждения резонансного комбинационного рассеяния кристалла KI с примесью ионов MnO4- и MnO42-
794
Фотодеструкция механически напряженного капрона
793
Температурные зависимости скоростей упругих волн в молибдате кальция
790
К теории вакансионного распухания металлов. II. Обменные потоки точечных дефектов на пору и дислокацию
788
Неадиабатический режим в двухузельной модели биполярона малого радиуса
788
Моделирование электропроводности смешанных ионных кристаллов методом Монте-Карло
787
Экситоны с переносом заряда в слоистых полупроводниках
786
Захват электронно-дырочных пар на границе гетероперехода второго типа
786
H-центры в ЩГК с тяжелой анионной гомологической примесью
785
Поверхностные плазмоны на границе двойникования кристаллов
785
Именной указатель к журналу Физика твердого тела" Том 32 за 1990 г.
785

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme