Издателям
Вышедшие номера
Ширина линий экситонного поглощения в твердых растворах In1-xGaxAs/InP
Кохановский С.И., Макушенко Ю.М., Сейсян Р.П., Эфрос Ал.Л.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.

Исследованы спектры края поглощения полупроводникового твердого раствора In1-xGaxAs/InP. В напряженных и свободных от напряжений образцах получены зависимости сил осцилляторов и ширин экситонных линий от величины магнитного поля. Проведено сравнение этих зависимостей с теорией уширения экситонных линий в полупроводниковых твердых растворах. Показано, что зависимость ширины экситонной линии в In1-xGaxAs/InP от магнитного поля хорошо описывается в рамках модели "донороподобного экситона".

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.