Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
15198
Распределение статей по годам:
787
784
752
658
635
456
443
494
486
451
492
429
403
412
432
397
396
404
408
378
377
428
403
399
407
392
403
406
402
382
385
420
297

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
Теория слабой кристаллизации смектиков. Типы C и B
17
Механизм реверсивных фотоиндуцированных эффектов в тонких пленках As2S3
16
Транспортные свойства квазиодномерных систем, обусловленные мягкой фононной модой (аномалией Кона)
15
Особенности плавления и кристаллической структуры поливинилстеарата в пористых матрацах
15
Термодинамический подход к проблеме дробного квантового эффекта Холла
15
О биодырках в антиферромагнетиках-сверхпроводниках
14
Релаксация неодномерностей на движущейся доменной границе в ортоферрите иттрия
14
Непрямые межзонные переходы в монокристаллах РbМоO4. Двухфотонная спектроскопия
13
Новые высокопроводящие твердые электролиты: СsАg4Вr3-xI2+x (0.25=<sssim x=<sssim1)
13
Обнаружение структуры низкополевого микроволнового поглощения и пороговых по магнитному полю эффектов в монокристаллах ВТСП на основе висмута
13
Электронная сверхструктура (La1-xМx)2СuO4
13
Автолокализованные экситоны в кристаллах CsI и CsI-Na
13
Вязкое торможение дислокаций деформированных кристаллов NaCl
13
Мелкий электронный уровень в полярном кристалле
13
Косвенное взаимодействие экранированных диполей в узкощелевых полупроводниках типа A4B6
13
О нефононном механизме сверхпроводимости в системе s-, p-, d-электронов
13
Частотная зависимость импеданса и глубина проникровения магнитного поля в керамике YBa2Cu3O7-delta
13
Связь тонкой структуры спектров вторичной электронной эмиссии кремния с законом дисперсии и длиной свободного пробега электронов
12
Двупреломляющие и электрооптические свойства кристаллов (NH2(CH3)2)2CuCl4
12
Акустостимулированное увеличение фоточувствительности в кристаллах твердых растворов A2B6
12
Статья
Просмотров
Теория слабой кристаллизации смектиков. Типы C и B
1212
Размерная и температурная зависимости поверхностного натяжения ультрадисперсных металлических частиц
1169
Автоэлектронная спектроскопия пленок BaO различной структуры
1073
Исследование электронной проводимости твердых электролитов RbAg4I5
1072
Влияние электромагнитных возбуждений на вольт-амперную характеристику туннельных контактов
1051
Именной указатель
1048
Электронная сверхструктура (La1-xМx)2СuO4
1042
Транспортные свойства квазиодномерных систем, обусловленные мягкой фононной модой (аномалией Кона)
1040
Термодинамический подход к проблеме дробного квантового эффекта Холла
1033
Масса полярона в модели Хаббарда
1010
Магнитные свойства антиферромагнетика с одноосной анизотропией и треугольной решеткой
1003
Закрепление уровня Ферми и реакции перезарядки на поверхности полупроводника
1000
Тепловое расширение и структурные особенности суперионных проводников семейства MeXSO4 (Ме = NH4, Rb, Cs; Х = Н, D)
997
Температурные аномалии затухания и скорости звука при структурных фазовых переходах в области низких температур
996
Анизотропия вихревой структуры в высокотемпературных сверхпроводниках
990
Излучение электронно-дырочной плазмы в сильно возбужденных пленках ZnTe/Al2O3
981
Плазменные колебания в полупроводниках с безмассовыми электронами
976
Фотогальванический эффект в инверсионном канале на вицинальной грани
969
Несоразмерная фаза сегнетоэлектриков системы Sn2P2S6-Sn2P2Se6 в модели жестких ионов
961
Ab initio теория электронных спектров примесных кристаллов. Ионы хрома в оксидных соединениях
960
О природе СВЧ поглощения в сверхпроводящей керамике YBa2Cu3O7 в слабых магнитных полях
960
Квазидвумерный полярон
958
Люминесценция Cd1-xMnxTe в температурном интервале магнитного фазового перехода
958
Пироэлектрические и диэлектрические свойства канкринита
954
Неравновесные фононы в многоквантовых безызлучательных процессах
946
ЯМР исследование водорода в YBa2Cu3O7-delta керамике
939
Усиленная резонансная кросс-релаксация между гетероядерными системами при вращении образца под магическим углом
939
Влияние структурных изменений кристалла-матрицы на свечение примесного центра
938
Влияние упругого и пластического деформирования на амплитудно-зависимое поглощение ультразвука в монокристаллах фтористого натрия
936
Спектры ЭПР неэквивалентных позиций азота в 15R SiC
932
Упорядочение нецентральных ионов на поверхности сильно поляризуемых кристаллов. Локализованное сегнето- и пьезоэлектричество
931
Экспериментальное наблюдение термополяризационного эффекта в пьезоэлектриках (KDP)
931
Симметрия фононов в монокристаллах высокотемпературных сверхпроводников с симметрией D174h
927
Влияние заряда глубокого примесного центра на оптические переходы в сложную валентную зону
926
Исследование свойств пленок (Gd, Tm, Bi)3(Fe, Ga)5O12 в окрестности точки компенсации момента импульса
925
Релаксационное торможение когерентных межфазных границ
922
Низкотемпературная термоэдс системы индий-кадмий при электронном топологическом переходе вблизи точек T зоны Бриллюэна
921
Механизм фотопереноса заряда в рубине
921
Диффузионная скорость роста макродефектов в ансамблях
920
Феноменологическая теория фазовых переходов в Fe2P
920
Резонанская КАРС-спектроскопия молекулярной примеси тетрацена
919
Объемная визуализация 180o-сегнетоэлектрических доменов в LiNbO3 с помощью электрооптических эффектов
919
Наблюдение дислокационного флаттер-резонанса в температурной зависимости рассеяния неравновесных фононов в кристаллах LiF
919
Низкотемпературные особенности теплового расширения слоистых кристаллов
917
О биодырках в антиферромагнетиках-сверхпроводниках
911
Рекурсионный расчет спин-поляризованной электронной структуры железо-иттриевого граната
910
Особенности многократного спинового эха в неоднородных магнетиках
909
Магнитное упорядочение при давлениях до 2.2 ГПа и упругие свойства соединений CuM2Br4·2H2O
909
Возврат затухания и скорости ультразвука при релаксации напряжений в монокристаллах хлористого натрия
905
Два режима экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках с глубокими центрами
905

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme