Издателям
Вышедшие номера
Кондовское рассеяние в кристаллах EuCu2-xSi2+x
Левин Е.М., Кужель Б.С.
Выставление онлайн: 20 декабря 1988 г.

Исследованы дифференциальная термоэдс, электрическое сопротивление (4.2 < T < 350 К) и магнитная восприимчивость (77 < T < 300 К) в образцах соединения EuCu2-xSi2+x, в котором эффективная валентность европия vэф (T=300 К) изменяется в зависимости от состава от 2.62 до 2.0. При значении vэф~ 2.16 (T=300 К) в EuCu2-xSi2+x, как и в ранее исследованной системе EuCu2 (SixGe1-x)2, происходит резонансное рассеяние носителей заряда при T ~= 25 K и возникновение состояния типа концентрированной кондо-системы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.