Вычислен линейный по интенсивности возбуждающего света вклад в скорость рождения экситонов Ванье-Мотта в полярных полупроводниках при частотах возбуждающего света, немного превышающих ширину запрещенной зоны. Рассмотрен процесс с участием электронно-дырочных пар (ЭДП) в качестве промежуточных состояний кристалла. Показано, что конечная величина линейного вклада в скорость связывания ЭДП с образованием экситонов обусловлена пространственной корреляцией электронов и дырок, сохраняющейся после испускания некоторого числа LO-фононов. Показано, что при N <= 4 скорость рождения экситонов пропорциональна третьей степени фрелиховской константы взаимодействия электронов (дырок) с LO-фононами и с ростом числа N убывает только численно. Кинетическая энергия рожденных экситонов равна E_{exc N}=homega_l-E₁-Nhomega_LO, где omega_l - частота возбуждающего света, E₁ - энергия экситона, отсчитанная от основного состояния кристалла. Описанный механизм рождения экситонов может быть использован для объяснения происхождения наблюдаемых на эксперименте [10] осцилляции в спектрах возбуждения экситонной эмиссии в полярных полупроводниках. Включение сильного магнитного поля приводит к резкому увеличению скорости рождения экситонов, что должно проявиться в росте интенсивности экситонной люминесценции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.